|
|||||
|
|
| 采用0.18μm CMOS RF模型的高线性度降频混频电路的设计 | |
| 引用本文： | 胡伟,陈金福,张振勇,杨莲兴.采用0.18μm CMOS RF模型的高线性度降频混频电路的设计[J].半导体技术,2002(12). |
| 作者姓名： | 胡伟 陈金福 张振勇 杨莲兴 |
| 作者单位： | 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 上海200433 (胡伟，陈金福，张振勇)，复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 上海200433(杨莲兴) |
| 摘 要： | 介绍了降频混频电路的电路结构及其工作原理, 并且着重分析了一种高线性度的实现方法。电路采用了0.18μm CMOS RF模型, 通过仿真,得出了令人满意的结果. |
| 关 键 词： | 降频混频电路 高线性度 0.18μm CMOS 射频电路 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
