| 碳热还原法制备SiC纳米线及其结构表征 |
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| 引用本文： | 朱小燕,李培刚,王顺利,刘仁娟,陈建军,唐为华. 碳热还原法制备SiC纳米线及其结构表征[J]. 浙江丝绸工学院学报, 2012, 0(2): 245-248 |
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| 作者姓名： | 朱小燕 李培刚 王顺利 刘仁娟 陈建军 唐为华 |
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| 作者单位： | [1]浙江理工大学光电材料与器件中心,杭州310018 [2]浙江理工大学材料工程中心,杭州310018 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目（50672088,50902123,60806045）,国家基础研究项目（973项目）（2010CB933501） |
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| 摘 要： | 采用简单的碳热还原法，以碳粉和Si02微粉分别作为碳源和硅源，在1550℃高温真空气氛箱式炉中制备SiC纳米线。并利用X射线衍射（XI国）、扫描电镜（SEM）和透射电镜（TEM）、傅里叶变换红外（FTIR）等测试手段对反应产物进行组分、形貌和结构表征。研究结果表明：产物为直线六棱柱形状的β-SiC纳米线，直径在50～300nm之间，纳米线内部含有较多的堆垛层错；纳米线主要以气-固（VS）机制生长。
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| 关 键 词： | 碳化硅 纳米线 碳热还原 气-固机制 |
Synthesis and Characterization of SiC Nanowires Using Carbon-Thermal Reduction |
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| ZHU Xiao-yan,LI Pei-gang,WANG Shun-li,L IU Ren-juan,CHEN J ian-jun,TANG Wei-hua. Synthesis and Characterization of SiC Nanowires Using Carbon-Thermal Reduction[J]. , 2012, 0(2): 245-248 |
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| Authors: | ZHU Xiao-yan LI Pei-gang WANG Shun-li L IU Ren-juan CHEN J ian-jun TANG Wei-hua |
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| Affiliation: | (Zhejiang Sci-Tech University, a. Center for Optoelectronics Materials and Devices; b. Center for Material Engineering, Hangzhou 310018, China) |
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| Abstract: | SiC nanowires are synthesized via the reaction between carbon powder and silicon dioxide powder by a simple carbon-thermal reduction in high-temperature vacuum furnace at 1550 ~C. X-ray dif- fraction （XRD）, Scanning electron microscopy （SEM） and transmission electron microscopy （TEM）, Fourier transform infrared spectrometer （FTIR） are employed to characterize the obtained product. The β- SiC nanowires experience a beeline hexagonal section and diameters in the range of 50 -300 nm. A high stacking faults density exists in the nanowires. The growth mechanism of the nanowires is considered to involve a vapor-solid （VS） process. |
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| Keywords: | silicon carbon nanowires carbon-thermal reduction vapor-solid （VS） mechanism |
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