| 基体温度对中频磁控溅射制备的氧化锌镓薄膜性能的影响 |
| |
| 引用本文： | 赵方红,庄大明,张弓,姬杨玲.基体温度对中频磁控溅射制备的氧化锌镓薄膜性能的影响[J].真空科学与技术学报,2006,26(5):404-407. |
| |
| 作者姓名： | 赵方红 庄大明 张弓 姬杨玲 |
| |
| 作者单位： | 清华大学机械工程系,北京,100084 |
| |
| 摘 要： | 利用中频磁控溅射方法,溅射Ga2O3含量为5.7 wt.%的氧化锌镓陶瓷靶材,在不同的基体温度下制备了ZGO薄膜。研究了基体温度对ZGO薄膜的晶体结构、电学和光学性能的影响。结果表明:基体温度对薄膜的晶体结构、近红外反射率和透射率曲线以及薄膜的导电性能有较大影响。当基体温度为400℃,溅射功率密度为2.93 W/cm2,氩气压力为0.5 Pa时,薄膜的电阻率低达4.5×10-4Ω.cm,方块电阻为13Ω,平均可见光(λ=400 nm~800 nm)透射率高于90%。
|
| 关 键 词： | 基体温度 ZGO薄膜 磁控溅射 电阻率 透射率 |
| 文章编号： | 1672-7126（2006）05-404-04 |
| 收稿时间： | 2006-02-13 |
| 修稿时间： | 2006年2月13日 |
Influences of Substrate Temperature on Properties of ZGO Thin Films Prepared by Middle-frequency Alternative Magnetron Sputtering |
| |
| Zhao Fanghong,Zhuang Daming,Zhang Gong,Ji Yangling.Influences of Substrate Temperature on Properties of ZGO Thin Films Prepared by Middle-frequency Alternative Magnetron Sputtering[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2006,26(5):404-407. |
| |
| Authors: | Zhao Fanghong Zhuang Daming Zhang Gong Ji Yangling |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | Substrate temperature ZGO thin film Magnetron sputtering Resistivity Transmittance |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
