| 电子强关联对LaMnO_3电子结构的影响 |
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| 引用本文： | 耿滔,庄松林.电子强关联对LaMnO_3电子结构的影响[J].材料科学与工程学报,2009(4). |
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| 作者姓名： | 耿滔 庄松林 |
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| 作者单位： | 上海理工大学理学院;上海市现代光学系统重点实验室; |
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| 基金项目： | 国家基础研究发展计划973资助项目(2005CB724304); 上海市重点学科项目第三期资助项目(S30502); 上海市科学技术委员会资助项目(08530707400和07JC14056); 国家自然科学基金资助项目(60777045) |
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| 摘 要： | 本文利用密度泛函对LaMnO3的电子结构进行了计算。结果表明,LaMnO3反铁磁绝缘基态的形成主要依赖于Jahn-Teller畸变而不是电子强关联,但电子强关联效应对LaMnO3电子结构的影响巨大。为了获得正确的结果,本文计算时考虑了适当的电子强关联修正。通过分析比较,表明在位的库仑能U取3.5eV是一个合理的选择。
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| 关 键 词： | LaMnO3 电子强关联 密度泛函 |
Effects of Strong Electron Correlations on the Electronic Structure of LaMnO_3 |
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| GENG Tao,ZHUANG Song-lin.Effects of Strong Electron Correlations on the Electronic Structure of LaMnO_3[J].Journal of Materials Science and Engineering,2009(4). |
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| Authors: | GENG Tao ZHUANG Song-lin |
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| Affiliation: | GENG Tao~(1,2),ZHUANG Song-lin~2(1.College of Science,University of Shanghai for Science , Technology,Shanghai 200093,China,2.Shanghai Key Laboratory of Contemporary Optics System,China) |
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| Abstract: | The electronic structure of the perovskite oxide LaMnO_3 was studied with the density functional method.Results show that correction on the strong electron correlations alone is not able to open an insulating gap.However,a reasonable correction on the strong electron correlations is necessary to obtain the exact band structure of LaMnO_3.3.5eV is a good choice for the on-site Coulomb parameter. |
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| Keywords: | LaMnO_3 strong electron correlation density functional theory |
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