| 溶胶凝胶法制备以Al_2O_3为界面修饰层的铪铟锌氧薄膜晶体管 |
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| 引用本文： | 高娅娜,许云龙,张建华,李喜峰.溶胶凝胶法制备以Al_2O_3为界面修饰层的铪铟锌氧薄膜晶体管[J].发光学报,2016(1):50-55. |
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| 作者姓名： | 高娅娜 许云龙 张建华 李喜峰 |
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| 作者单位： | 1. 上海大学材料科学与工程学院,上海200072;上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室,上海200072;2. 上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室,上海,200072 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863)(2015AA033406)，广东省省级科技计划(2015B090915001)，上海科学技术委员会项目(13520500200) |
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| 摘 要： | 利用溶液法制备了以HfSiOx为绝缘层、HfInZnO为有源层、Al_2O_3为界面修饰层的TFT器件。HfSiOx薄膜经Al_2O_3薄膜修饰后,薄膜表面粗糙度从0.24nm降低至0.16nm。Al2O3薄膜与HfSiOx薄膜之间的界面接触良好,以Al_2O_3为界面修饰层的TFT器件整体性能得到提升,具体表现为:栅极电压正向和反向扫描过程中产生的阈值电压漂移显著减小,器件的阈值电压和亚阈值摆幅降低,迁移率与开关比增大。研究证明,溶液法制备Al_2O_3薄膜适合作为改善器件性能的界面修饰层。
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| 关 键 词： | 溶液法 薄膜晶体管 界面修饰层Al2O3 |
Solution Processed HfInZnO Thin Film Transistors with HfSiOx Dielectrics Modified by Al2O3 Films |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | solution process thin film transistors modification layer Al2O3 |
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