| 铝栅体硅CMOS器件总剂量加固的工艺技术 |
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| 引用本文： | 杨钦英,倪秀珍,凌晓雪.铝栅体硅CMOS器件总剂量加固的工艺技术[J].微电子学,1988(6). |
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| 作者姓名： | 杨钦英 倪秀珍 凌晓雪 |
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| 作者单位： | 北京半导体器件三厂
(杨钦英，倪秀珍)，北京半导体器件三厂(凌晓雪) |
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| 摘 要： | 本文拟讨论辐射加固的铝栅体硅CMOS集成电路的工艺优化和设计。文中描述了加固的基本考虑,部分工艺试验,辐照结果和工艺筛选结果及例行试验结果。一个较全面的方案,是要评价工艺参数对CMOS电路加固性能的影响,以建立一个有依据的辐射加固工艺。这里集中探讨改进的场氧工艺、栅氧工艺、版图设计和蒸铝工艺。研究所获得的优化加固工艺使器件的总剂量加固水平高于1×10~4Gy(Si)。文中评价了采用此加固工艺的器件成品率,并通过例行试验证明了器件的可靠性。
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| 关 键 词： | 铝栅体硅CMOS电路 总剂量加固 器件可靠性 |
Process and Designing of Radiation Hardened Al-gate Bulk Si CMOS iCs |
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| Yang qinying,Ni Xiuzhen and Ling Xiaoxue.Process and Designing of Radiation Hardened Al-gate Bulk Si CMOS iCs[J].Microelectronics,1988(6). |
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| Authors: | Yang qinying Ni Xiuzhen and Ling Xiaoxue |
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| Affiliation: | Beijing No.3 Semiconductor Device Factory |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Al-gate bulk Si CMOS IC Total dose radiation hardening Device reliability |
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