首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
     

高压下超导体FeSe电子结构的第一性原理研究
引用本文:谭兴毅,陈长乐,金克新.高压下超导体FeSe电子结构的第一性原理研究[J].功能材料,2010,41(5).
作者姓名:谭兴毅  陈长乐  金克新
作者单位:西北工业大学,理学院,陕西省凝聚态结构与性质重点实验室,陕西,西安,710072
基金项目:国家自然科学基金重点资助项目,西北工业大学基础研究基金 
摘    要:从头计算了高压下超导体FeSe体相的性质,参数设定和性质计算都基于密度泛函理论,交换相关能采用GGA,泛函形式为PBE,原子间相互作用的描述采用超软赝势。计算发现压力使FeSe4四面体发生畸变,Fe的3d轨道劈裂为t2g轨道和eg轨道,并且Fe的d轨道劈裂能在一定压力范围随压力增加而变大,其中t2g电子具有空穴的导电特征,eg电子为电子导电特征;在费米面附近Fe的3d电子的态密度与总能态密度几乎相等,说明物质的超导电性源于同一层之间的Fe2+的相互作用。

关 键 词:FeSe超导体  密度泛函理论  电子结构  能带结构  态密度

Electronic properties of FeSe from ab-initio calculations
TAN Xing-yi,CHEN Chang-le,JIN Ke-xin.Electronic properties of FeSe from ab-initio calculations[J].Journal of Functional Materials,2010,41(5).
Authors:TAN Xing-yi  CHEN Chang-le  JIN Ke-xin
Abstract:
Keywords:
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号