| 纳米射频CMOS混频器的研究 |
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| 引用本文： | 夏华灿,张流强,王国波.纳米射频CMOS混频器的研究[J].纳米科技,2007,4(6):24-27. |
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| 作者姓名： | 夏华灿 张流强 王国波 |
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| 作者单位： | [1]重庆大学光电学院微系统中心,重庆400044 [2]重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室,重庆400044 |
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| 摘 要： | 介绍了混频器的工作原理、性能指标及几种重要的混频器结构。设计了以Gilbert型为核心的双端差分对混频器，使用TSMC的0．18μm CMOS工艺库，本振信号为2．25GHz，射频信号为2．5GHz；借用安捷伦公司的ADS软件模拟，模拟结果变频增益为-10dBm，双边带噪声为58．6dB，输入1dB压缩点为11dBm，同时端口隔离度也比较高。该混频器适用于中高频段的发射机。
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| 关 键 词： | RFIC 混频器 集成电路 CMOS |
| 文章编号： | 1812-1918（2007）06-0024-04 |
| 收稿时间： | 2007-09-10 |
Design of the RF COMS Mixer |
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| Authors: | XIA Hua-can ZHANG Liu-qiang WANG Guo-bo |
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