| DAC垫片孔侧壁绝缘程度对电导率测量结果的影响 |
| |
| 引用本文： | 彭刚,吴宝嘉,刘才龙,韩永昊,刘鲍,胡廷静,王月,崔晓岩,任万斌,高春晓. DAC垫片孔侧壁绝缘程度对电导率测量结果的影响[J]. 原子与分子物理学报, 2009, 26(4): 733-736. DOI: 103969/j.issn.1000-0364.2009.04.030 |
| |
| 作者姓名： | 彭刚 吴宝嘉 刘才龙 韩永昊 刘鲍 胡廷静 王月 崔晓岩 任万斌 高春晓 |
| |
| 作者单位： | 1. 吉林大学超硬材料国家重点实验室,长春市,130012
2. 吉林大学超硬材料国家重点实验室,长春市,130012;延边大学理学院物理系,延吉,133002 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金（10874053，50532020）;科技部973课题（2005CB724404）;教育部创新团队（IRT0625） |
| |
| 摘 要： | 通过有限元方法，计算了DAC内垫片孔侧壁与样品发生不同程度短路的情况下，范德堡法测量样品电阻率的相对误差. 发现垫片孔侧壁与样品短路面积小于20％时，相对误差可以控制在10％以内. 而当短路面积超过25％时，相对误差迅速增大. 研究中还发现，电极越靠近样品边缘，相对误差越小.
|
| 关 键 词： | 金刚石对顶砧 高压 电阻率 |
The gasket conducting effect in diamond anvil cell during electrical measurement |
| |
| PENG Gang,WU Bao-Jia,LIU Cai-Long,HAN Yong-Hao,LIU Bao,HU Ting-Jing,WANG Yue,CUI Xiao-Yan,REN Wan-Bin,GAO Chun-Xiao. The gasket conducting effect in diamond anvil cell during electrical measurement[J]. Journal of Atomic and Molecular Physics, 2009, 26(4): 733-736. DOI: 103969/j.issn.1000-0364.2009.04.030 |
| |
| Authors: | PENG Gang WU Bao-Jia LIU Cai-Long HAN Yong-Hao LIU Bao HU Ting-Jing WANG Yue CUI Xiao-Yan REN Wan-Bin GAO Chun-Xiao |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《原子与分子物理学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《原子与分子物理学报》下载全文 |
|
