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| 氢氟酸电解腐蚀硅制备的量子线阵的光致发光 | |
| 引用本文： | 张丽珠,段家怟,张伯蕊,金鹰,秦国刚.氢氟酸电解腐蚀硅制备的量子线阵的光致发光[J].半导体学报,1992,13(3):193-197. |
| 作者姓名： | 张丽珠 段家怟 张伯蕊 金鹰 秦国刚 |
| 作者单位： | 北京大学物理系 北京100871 (张丽珠，段家怟，张伯蕊，金鹰)，北京大学物理系 北京100871(秦国刚) |
| 摘 要： | 在氢氟酸溶液中电解腐蚀作为阳极的单晶硅,制备了硅量子线阵.根据其光致发光谱估算了量子线横截面平均边长为2.4—3.1纳米.研究了光致发光带的峰位对单晶硅电阻率,电解液成分,电解电流密度及电解时间等量的依赖关系. |
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