| 气相反应对CVD生长石墨烯的影响 |
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| 引用本文： | 陈恒,张金灿,刘晓婷,刘忠范.气相反应对CVD生长石墨烯的影响[J].物理化学学报,2022,38(1):2101053-0. |
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| 作者姓名： | 陈恒 张金灿 刘晓婷 刘忠范 |
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| 作者单位： | 1 北京大学纳米化学研究中心，北京分子科学国家研究中心，北京大学化学与分子工程学院，北京 1008712 北京大学前沿交叉学科研究院，北京 1008713 北京石墨烯研究院，北京 100095 |
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| 基金项目： | the National Key Basic Research Program of China(2016YFA0200103);the National Key Basic Research Program of China(2018YFA0703502);the National Natural Science Foundation of China(51520105003);the National Natural Science Foundation of China(52072042);Beijing National Laboratory for Molecular Sciences(BNLMS-CXTD-202001);the Beijing Municipal Science and Technology Planning Project(Z18110300480001);the Beijing Municipal Science and Technology Planning Project(Z18110300480002) |
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| 摘 要： | 化学气相沉积法(CVD)制备的石墨烯薄膜具有质量高、均匀性好、层数可控且可放大等优点，近年来受到了学术界和工业界的广泛关注。在高温CVD生长过程中，除衬底表面的反应外，气相反应同样会影响石墨烯的生长行为和薄膜质量。本文将综述气相反应对CVD生长石墨烯的影响：首先对CVD体系内的气相传质过程和气相反应进行了详细讨论；随后系统介绍了基于气相调控提高石墨烯的结晶性、洁净度、畴区尺寸、层数和生长速度的相关策略及其机理；最后对气相反应影响CVD生长石墨烯的规律进行总结，并展望了未来可能的发展方向。
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| 关 键 词： | 石墨烯薄膜 化学气相沉积 气相反应 高品质 可控制备 |
| 收稿时间： | 2021-01-27 |
Effect of Gas-Phase Reaction on the CVD Growth of Graphene |
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| Heng Chen,Jincan Zhang,Xiaoting Liu,Zhongfan Liu.Effect of Gas-Phase Reaction on the CVD Growth of Graphene[J].Acta Physico-Chimica Sinica,2022,38(1):2101053-0. |
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| Authors: | Heng Chen Jincan Zhang Xiaoting Liu Zhongfan Liu |
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| Affiliation: | 1. Center for Nanochemistry, Beijing National Laboratory for Molecular Sciences, College of Chemistry and Molecular Engineering, Peking University, Beijing 100871, China;2. Academy for Advanced Interdisciplinary Studies, Peking University, Beijing 100871, China;3. Beijing Graphene Institute (BGI), Beijing 100095, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Graphene film Chemical vapor deposition Gas-phase reaction High quality Controlled synthesis |
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