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| GIC－4117／HC1．7MV Tandetron上的MeV离子注入系统 | |
| 引用本文： | 缴桂跃,王文勋,王广甫,董平.GIC－4117／HC1．7MV Tandetron上的MeV离子注入系统[J].原子能科学技术,1995(6). |
| 作者姓名： | 缴桂跃 王文勋 王广甫 董平 |
| 作者单位： | 北京师范大学分析测试中心 |
| 摘 要： | 利用通用离子公司（ＧＩＣ）的４１１７型１．７ＭＶＴａｎｄｅｔｒｏｎ离子束分析设备进行ＭｅＶ级离子注入。所注入的离子能量范围由５００ｋｅＶ到１０ＭｅＶ，离子的质量在２４０ｕ以下，某些元素的负离子束流强度在１５０μＡ以上。双向机械扫描技术可将离子均匀地注入样片。 |
| 关 键 词： | MeV离子注入，串列加速器，传输效率，铯溅射型负离子源 |
MeV ION IMPLANTATION SYSTEM BASED UPON A GIC-4117/HC1.7MV TANDETRON |
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| JIAO GUIYUE,WANG WENXUN ,WANG GUANGFU,DONG PING.MeV ION IMPLANTATION SYSTEM BASED UPON A GIC-4117/HC1.7MV TANDETRON[J].Atomic Energy Science and Technology,1995(6). | |
| Authors: | JIAO GUIYUE WANG WENXUN WANG GUANGFU DONG PING |
| Abstract: | |
| Keywords: | MeV ion implantation Tandem accelerator Transmission efficiency Sourceof negative ions by cesium sputtering(SNICS) |
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