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| 硅（100）表面组装膜的第一性原理研究 | |
| 作者姓名： | 史立秋 息明东 张琳 马清祥 |
| 作者单位： | [1]佳木斯大学,黑龙江佳木斯154007 [2]佳木斯龙江福浆纸有限公司,黑龙江佳木斯154000 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金（51105174）;黑龙江省普通高等学校青年骨干支持计划项目（1155G54）;佳木斯大学人才培养基金项目（RC2009-037）. |
| 摘 要： | 应用基于密度泛函理论的第一原理计算研究硅（100）表面芳香烃重氮盐自组装单层膜的键长、键角和能量的改变.通过模拟计算,可以确定自组装膜的稳定结构和结合能.计算结果显示,单晶硅表面在自组装前后部分键长和键角发生了明显的改变.整个自组装系统减少的能量是-101.95eV,该能量是形成Si-C共价键释放出的结合能,说明芳香烃重氮盐和单晶硅（100）表面很容易形成自组装单层膜.自组装后的系统稳定性很好,证明硅表面的单层膜结合的很牢固. |
| 关 键 词： | 硅（100）面 第一性原理 自组装膜 芳香烃重氮盐 |
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