| 低温退火对稀磁半导体(Ga,Mn)As性质的影响 |
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| 引用本文： | 邓加军,赵建华,蒋春萍,牛智川,杨富华,吴晓光,郑厚植.低温退火对稀磁半导体(Ga,Mn)As性质的影响[J].半导体学报,2005,26(z1):42-44. |
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| 作者姓名： | 邓加军 赵建华 蒋春萍 牛智川 杨富华 吴晓光 郑厚植 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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国家重点基础研究发展计划(973计划)
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教育部留学回国人员科研启动基金 |
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| 摘 要： | 利用低温分子束外延技术在GaAs(001)上外延生长出厚度为500nm的稀磁半导体(Ga,Mn)As薄膜.双晶X射线衍射证明其为闪锌矿结构,晶格参数为0.5683nm,据此推导出其Mn含量为7%.磁测量结果揭示其铁磁转变温度为65K.观察了低温退火处理对(Ga,Mn)As磁性质的影响,发现生长后退火处理显著提高了其铁磁转变温度,可以达到115K.
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| 关 键 词： | 稀磁半导体 铁磁性 分子束外延 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)S0-0042-03 |
| 修稿时间： | 2004年11月3日 |
Enhancement of Ferromagnetic Transition Temperature in (Ga, Mn) As by Post-Growth Annealing |
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| Deng Jiajun,Zhao Jianhua,Jiang Chunping,Niu Zhichuan,Yang Fuhua,Wu Xiaoguang,Zheng Houzhi.Enhancement of Ferromagnetic Transition Temperature in (Ga, Mn) As by Post-Growth Annealing[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(z1):42-44. |
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| Authors: | Deng Jiajun Zhao Jianhua Jiang Chunping Niu Zhichuan Yang Fuhua Wu Xiaoguang Zheng Houzhi |
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