| 异质结应变层的临界厚度的确定 |
| |
| 引用本文： | 白利伟,胡礼中.异质结应变层的临界厚度的确定[J].半导体技术,2002,27(2):69-71,74. |
| |
| 作者姓名： | 白利伟 胡礼中 |
| |
| 作者单位： | 大连理工大学物理系,辽宁,大连,116024 |
| |
| 基金项目： | 教育部高校骨干教师资助计划;; |
| |
| 摘 要： | 简要介绍了异质结的临界厚度,叙述了计算临界厚度的两种理论和其实验值.
|
| 关 键 词： | 异质结 应变层 临界厚度 失配位错 |
| 文章编号： | 1003-353X(2002)02-0069-03 |
Critical layer thickness of heterostructure stain layer |
| |
| BAI Li-wei,HU Li-zhong.Critical layer thickness of heterostructure stain layer[J].Semiconductor Technology,2002,27(2):69-71,74. |
| |
| Authors: | BAI Li-wei HU Li-zhong |
| |
| Abstract: | Critical layer thickness of heterostructure is presented simply. Two theories to calculate the equilibrium critical thickness and their experimental value are given. |
| |
| Keywords: | heterostructure strain layer critical layer thickness misfit dislocation |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
