| Nb、Ta掺杂Na_(0.5)Bi_(4.5)Ti_4O_(15)铋层状陶瓷的性能研究 |
| |
| 引用本文： | 邵虹,江向平,傅小龙,涂娜,李小红.Nb、Ta掺杂Na_(0.5)Bi_(4.5)Ti_4O_(15)铋层状陶瓷的性能研究[J].压电与声光,2015,37(2):307-310. |
| |
| 作者姓名： | 邵虹 江向平 傅小龙 涂娜 李小红 |
| |
| 作者单位： | (1. 景德镇陶瓷学院材料科学与工程学院, 江西省先进陶瓷重点实验室, 江西 景德镇 333000；;2. 浙江嘉兴嘉康电子股份有限公司，浙江 嘉兴 314000) |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(91022027)；江西省自然科学基金资助(20133ACB20002，20132BAB202002, 20122BAB202001,20122BAB203019)；江西省高等学校“先进陶瓷材料”科技创新团队基金资助项目；江西省研究生创新基金资助项目（YC2013 S245） |
| |
| 摘 要： | 采用固相烧结法制备了Na0.5Bi4.5Ti4-2xNbxTaxO15(NBTNT-x,0≤x≤0.06)铋层状压电陶瓷材料,研究了不同量Nb、Ta掺入对Na0.5Bi4.5Ti4O15陶瓷结构和电性能的影响。结果表明,所有样品均为单一的铋层状结构。适量Nb,Ta掺入能细化陶瓷晶粒,提高其致密性,降低电导率σ和介电损耗tanδ;同时,居里温度TC随Nb、Ta掺入量的增加而降低,但均高于610℃;当x=0.02时,陶瓷样品电性能最佳,即压电常数d33=17pC/N,机电耦合常数kp=4.19%,kt=18.10%,品质因数Qm=3 527,剩余极化强度Pr=10.50μC/cm2。
|
| 关 键 词： | 铋层状 介电性能 压电性能 铁电性能 Na0.5Bi4.5Ti4O15 |
Study on Bismuth Layer structured Piezoelectric Ceramics Na0.5Bi4.5Ti4O15 with Niobium and Tantalum Modification |
| |
| SHAO Hong,JIANG Xiangping,FU Xiaolong,TU Na and LI Xiaohong.Study on Bismuth Layer structured Piezoelectric Ceramics Na0.5Bi4.5Ti4O15 with Niobium and Tantalum Modification[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2015,37(2):307-310. |
| |
| Authors: | SHAO Hong JIANG Xiangping FU Xiaolong TU Na and LI Xiaohong |
| |
| Affiliation: | (1. School of Material Science and Engineering, Jiangxi Key Lab. of Advanced Ceramic Materials, Jingdezhen Ceramic Institute,Jingdezhen 333000, China;;2. Zhejiang Jiakang Electronics Co., Ltd, Jiaxing, 314000) |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | bismuth layer structure dielectric properties piezoelectric properties ferroelectric properties Na0 5Bi4 5Ti4O15 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《压电与声光》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《压电与声光》下载全文 |
|
