| 基于异构忆阻器的1T2M多值存储交叉阵列设计 |
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| 引用本文： | 孙晶茹,李梦圆,康可欣,邾少鹏,Sun Yichuang.基于异构忆阻器的1T2M多值存储交叉阵列设计[J].电子与信息学报,2022,43(6):1533-1540. |
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| 作者姓名： | 孙晶茹 李梦圆 康可欣 邾少鹏 Sun Yichuang |
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| 作者单位： | 湖南大学信息科学与工程学院 长沙 410082;北京邮电大学电子工程学院 北京 100089;英国赫特福德大学物理工程与计算机科学学院 哈特菲尔德 英国 AL109AB |
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| 摘 要： | 忆阻器作为一种新型电子元件,具有尺寸小、读写速度快、非易失性和易于与CMOS电路兼容等特性,是实现非易失性存储器最具发展前景的技术之一.但是已有的多值存储交叉阵列存在电路结构复杂、漏电流和存储密度低等问题,影响了多值存储交叉阵列的实用性.该文提出一种基于异构忆阻器的多值存储交叉阵列,其中存储单元由1个MOS管和两个具有不同阈值电压和Ron阻值的异构忆阻器构成(1T2M),可实现单个电压信号完成4值读写的操作,减少电流通路的同时简化了电路结构.通过PSpice进行仿真验证,表明所提出的1T2M多值存储器交叉阵列与已有工作相比,电路结构更简单,读写速度更快,并较好地克服了漏电流问题.
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| 关 键 词： | 忆阻器 存储器 交叉阵列 漏电流 |
Design of Heterogeneous Memristor Based 1T2M Multi-value Memory Crossbar Array |
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| SUN Jingru,LI Mengyuan,KANG Kexin,ZHU Shaopeng,SUN Yichuang.Design of Heterogeneous Memristor Based 1T2M Multi-value Memory Crossbar Array[J].Journal of Electronics & Information Technology,2022,43(6):1533-1540. |
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| Authors: | SUN Jingru LI Mengyuan KANG Kexin ZHU Shaopeng SUN Yichuang |
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