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不规则多重垒结构中电子共振隧穿的相对论效应
引用本文:周晓薇 周培勤. 不规则多重垒结构中电子共振隧穿的相对论效应[J]. 内蒙古师范大学学报(自然科学版), 1998, 27(2): 106-109
作者姓名:周晓薇 周培勤
作者单位:[1]内蒙古农牧学院基础部 [2]内蒙古师范大学物理系
摘    要:研究了一维不规则多重垒结构中电子共振隧穿的相对论效应。结果表明系统同时存在两类共振隧穿,一类由能量量子化和长度量子化同时决定,另一类仅由δ势强度决定。与非相对论情形比较后可知,前者是结构型的共振隧穿,后者才是单纯由相对论效应造成的,而且阱宽涨落对相对论型共振隧穿没有影响。

关 键 词:共振隧穿 多重垒 涨落 相对论效应 半导体 电子

RELETIVISTIC EFFECTS OF ELECTRON RESONANT TUNNELING IN IRREGULAR MULTIBARRIER STRUCTURES
Abstract:
Keywords:resonant tunneling   multibarrier   fluctuation   reletivistic effect  
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