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基于TRIZ的RAM存储器掉电保护电路的优化设计
引用本文:刘修泉,杨伟,李艳红. 基于TRIZ的RAM存储器掉电保护电路的优化设计[J]. 机电工程技术, 2021, 50(8): 127-130. DOI: 10.3969/j.issn.1009-9492.2021.08.036
作者姓名:刘修泉  杨伟  李艳红
作者单位:佛山职业技术学院机电工程学院,广东佛山 528137
摘    要:为解决数控机床掉电重启后用户程数据丢失的问题,运用TRIZ方法对RAM存储器掉电保护电路系统进行了改进与优化设计.首先对RAM存储器掉电保护电路存在的问题进行了描述,采用功能分析、因果链分析对该初始问题进行了全面深入剖析,找出关键问题,然后利用物理矛盾和裁剪工具、物场模型和标准解建立3个解决方案模型,并对3个方案进行评...

关 键 词:TRIZ  掉电保护  数据丢失  创新

An Improved Power Failure Protection Circuit Design for RAM Memory Based on TRIZ Theory
Liu Xiuquan,Yang Wei,Li Yanhong. An Improved Power Failure Protection Circuit Design for RAM Memory Based on TRIZ Theory[J]. Mechanical & Electrical Engineering Technology, 2021, 50(8): 127-130. DOI: 10.3969/j.issn.1009-9492.2021.08.036
Authors:Liu Xiuquan  Yang Wei  Li Yanhong
Abstract:
Keywords:
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