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基于0118μm CMOS 工艺的6 GHz 环形压控振荡器设计
引用本文:吴春红,朱 恩,王雪艳,郁炜嘉,程树东,王志功.基于0118μm CMOS 工艺的6 GHz 环形压控振荡器设计[J].电子器件,2003,26(4).
作者姓名:吴春红  朱 恩  王雪艳  郁炜嘉  程树东  王志功
摘    要:摘要:基于0118μmCMOS 工艺设计的全差分环形压控振荡器电路,芯片总面积为0165 ×0179 mm2 ,118V 电源供电, 总功耗155 mW,中心频率6 GHz ,调谐范围1 GHz。可应用于IEEE802111a WLAN 系统。

关 键 词:关键词:射频集成电路  压控振荡器  CMOS  工艺
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