基于0118μm CMOS 工艺的6 GHz 环形压控振荡器设计 |
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引用本文: | 吴春红,朱 恩,王雪艳,郁炜嘉,程树东,王志功.基于0118μm CMOS 工艺的6 GHz 环形压控振荡器设计[J].电子器件,2003,26(4). |
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作者姓名: | 吴春红 朱 恩 王雪艳 郁炜嘉 程树东 王志功 |
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摘 要: | 摘要:基于0118μmCMOS 工艺设计的全差分环形压控振荡器电路,芯片总面积为0165 ×0179 mm2 ,118V 电源供电,
总功耗155 mW,中心频率6 GHz ,调谐范围1 GHz。可应用于IEEE802111a WLAN 系统。
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关 键 词: | 关键词:射频集成电路 压控振荡器 CMOS 工艺 |
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