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磁控溅射法制备ITO薄膜的结构及光电性能 磁控溅射法制备ITO薄膜的结构及光电性能
引用本文:桂太龙,汪 钢,张秀芳,梁 栋.磁控溅射法制备ITO薄膜的结构及光电性能 磁控溅射法制备ITO薄膜的结构及光电性能[J].电子器件,2009,32(2).
作者姓名:桂太龙  汪 钢  张秀芳  梁 栋
作者单位:哈尔滨理工大学 应用科学学院
基金项目:黑龙江省自然科技基金(E200809);黑龙江省教育厅科技项目(11511091)
摘    要:本文采用直流磁控溅射法在基板温度100 ℃、100%Ar气氛中制备了光电性能优良的铟锡氧化物(In2O3:SnO2= 90:10, 质量百分比)薄膜。利用XRD、AFM、SEM、多功能光栅光谱仪和四探针电阻测试仪对薄膜的结构、表面形貌、透光率和方阻进行了测定和分析,研究了溅射功率对薄膜透光率的影响。结果表明:ITO薄膜的方阻随溅射功率的增加而下降;经过热处理,ITO薄膜可见光透光率从60.4%增加到88.3%;ITO薄膜在360 nm到380 nm的紫光区域透光率最低,760 nm到800 nm的红光区域透光率达到最高。

关 键 词:ITO薄膜  直流磁控溅射  透光率  微观结构  光电性能

The Microstructure and Optoelectrical Performance of ITO Film by DC Magnetron Sputtering
GUI Tai-long,WANG Gang,ZHANG Xiu-fang,LIANG Dong.The Microstructure and Optoelectrical Performance of ITO Film by DC Magnetron Sputtering[J].Journal of Electron Devices,2009,32(2).
Authors:GUI Tai-long  WANG Gang  ZHANG Xiu-fang  LIANG Dong
Affiliation:Applied Science College, Harbin Univ.Sci.Tech
Abstract:
Keywords:indium tin oxide (ito) thin film  dc magnetron sputtering  transmissivity  microstructure  optoelectrical performance
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