应用于DRAM的BST薄膜制备与性能研究 |
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引用本文: | 王小宁,刘建设,任天令,赵宏锦,邵天奇,刘理天. 应用于DRAM的BST薄膜制备与性能研究[J]. 压电与声光, 2002, 24(6): 459-462 |
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作者姓名: | 王小宁 刘建设 任天令 赵宏锦 邵天奇 刘理天 |
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作者单位: | 清华大学,微电子学研究所,北京,100084 |
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基金项目: | 国家自然科学基金资助项目(69806007),"九七三"基金资助项目(G1999033105) |
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摘 要: | BaxSr1-xTiO3(BST)是动态随机存取存储器(DRAM)中常规电容介质SiO2的替代材料。用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Si及Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出了较高品质的BST薄膜。系统地研究了在不同退火条件下薄膜的结晶情况、微结构和电学性能。在室温100kHz下,薄膜的介电常数为230。在3V的偏压下,薄膜的漏电流密度为1.6×10-7A/cm2。利用HCl/HF刻蚀溶液成功获得了分辨率达到微米量级的BST薄膜微图形。
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关 键 词: | DRAM BST薄膜 制备 溶胶-凝胶法 刻蚀 动态随机存取存储器 复合钙钛矿 钛酸锶钡 |
文章编号: | 1004-2474(2002)06-0459-04 |
修稿时间: | 2001-11-12 |
The Fabrication and Properties of BST Thin Films for DRAM Application |
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Abstract: | |
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Keywords: | BaxSr1-xTiO3 |
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