| MBE生长高电阻率GaAs基InAlAs组分渐变缓冲层 |
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| 引用本文： | 高宏玲,王宝强,朱战平,李成基,段瑞飞,曾一平.MBE生长高电阻率GaAs基InAlAs组分渐变缓冲层[J].半导体学报,2007,28(Z1):200-203. |
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| 作者姓名： | 高宏玲 王宝强 朱战平 李成基 段瑞飞 曾一平 |
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| 作者单位： | 高宏玲（中国科学院半导体研究所材料中心,北京,100083）;王宝强（中国科学院半导体研究所材料中心,北京,100083）;朱战平（中国科学院半导体研究所材料中心,北京,100083）;李成基（中国科学院半导体研究所材料中心,北京,100083）;段瑞飞（中国科学院半导体研究所材料中心,北京,100083）;曾一平（中国科学院半导体研究所材料中心,北京,100083） |
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| 摘 要： | 研究了用分子束外延(MBE)方法,在SI-GaAs衬底上不同低温生长的台阶式组分渐变InAlAs缓冲层结构.用原子力显微镜(AFM)观测表面形貌,生长温度为340℃时,外延层表面粗糙度为1.79nm.用Van der Pauw方法研究了材料的电学特性,室温电阻率ρ2.6× 10Ω·cm.(电学性能测试表明200V电压间距1mm时,漏电流仅为0.3μA).高分辨X射线测试样品显示为良好的层状结构,晶体质量随生长逐渐变好.首次用变温Hall测试研究多层InAlAs缓冲层材料内部的载流子传输机制,并用热激电流谱(TSC)分析了其高阻机制.
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| 关 键 词： | MBE 低温缓冲层 MM-HEMT Hall测试 |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)S0-0200-04 |
| 修稿时间： | 2006年11月15 |
High Resistivity Step-Graded InAlAs/GaAs Metamorphic Buffer Layers Grown by Molecular Beam Epitaxy in Low Temperature |
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| Keywords: | |
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