| 钪钨基体钡钨热阴极发射性能研究 |
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| 引用本文： | 曹贵川,林祖伦,祁康成,王小菊.钪钨基体钡钨热阴极发射性能研究[J].电子元器件应用,2012(Z1):21-24. |
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| 作者姓名： | 曹贵川 林祖伦 祁康成 王小菊 |
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| 作者单位： | 电子科技大学光电信息学院 |
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| 摘 要： | 为获得电子发射性能优异的含钪钡热钨阴极,采用液固掺杂、掺杂钨粉还原、等静压制、高温烧结、浸渍发射物质等工艺,制备出钪钨基体钡钨热阴极。对该阴极的发射性能测试结果显示,在阴极温度分别为950℃、1050℃、1100℃时,脉冲发射电流密度分别为53.6A/cm2、65.7A/cm2、79A/cm2。分析认为,由于氧化钪均匀地覆盖在钨颗粒的表面,氧化钪与钨接触面增多,使氧化钪与钨的结合力增大,因此该阴极具有均匀性良好的热电子发射,较好的抗离子轰击能力。
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| 关 键 词： | 氧化钪 掺杂 钡钨阴极 发射特性 电流密度 |
Tungsten matrix barium tungsten cathode emission properties of |
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| Affiliation: | CAO Gui-chuan,LIN Jou-lun,QI Kang-chengi,WAGN Xiao-ju,(University of Electronic Science and Technology School of optoelectronic information,Chengdu 610054) |
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