| Ni掺杂对ZnO纳米线甲烷气敏性能的影响 |
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| 引用本文： | 林贺,范新会,于灵敏,严文.Ni掺杂对ZnO纳米线甲烷气敏性能的影响[J].功能材料,2007,38(A07):2666-2668. |
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| 作者姓名： | 林贺 范新会 于灵敏 严文 |
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| 作者单位： | 西安工业大学材料化工学院,陕西西安710032 |
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| 基金项目： | 陕西省教育厅自然科学专项资助项目（2004E117）;陕西省纳米材料重点实验室纳米专项资助项目（03W） |
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| 摘 要： | 以采用物理热蒸发法制备的纯ZnO纳米线和Ni掺杂ZnO纳米线为气敏基料，制备成旁热式气敏元件，用静态配气法对浓度为10^-4的甲烷气体进行了气敏性能的测试．结果表明Ni掺杂使ZnO纳米线对甲烷灵敏度提高了182％，响应时间和恢复时间分别缩短了3和2s．Ni的掺杂，在ZnO半导体禁带中引入新的复合中心，形成附加能级，提高了ZnO纳米线对甲烷的灵敏度．
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| 关 键 词： | ZnO纳米线 掺杂 气敏性能 甲烷 |
| 文章编号： | 1001-9731（2007）增刊-2666-03 |
| 修稿时间： | 2007-07-12 |
The effect of Ni doped on the CH4 sensitivity of ZnO nanowires |
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| LIN He, FAN Xin-hui, YU Ling-min, YAN Wen.The effect of Ni doped on the CH4 sensitivity of ZnO nanowires[J].Journal of Functional Materials,2007,38(A07):2666-2668. |
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| Authors: | LIN He FAN Xin-hui YU Ling-min YAN Wen |
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| Keywords: | ZnO nanowires doping gas sensitivity properties CH4 |
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