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| 用同步辐射XRF和基本参数法分析单晶硅中的Ge含量 | |
| 引用本文： | 吴强,刘亚雯.用同步辐射XRF和基本参数法分析单晶硅中的Ge含量[J].核技术,1995,18(4):224-226. |
| 作者姓名： | 吴强 刘亚雯 |
| 摘 要： | 利用同步辐射Ｘ荧光分析技术，采用基本参数法，定量分析了单晶硅中掺杂元素Ｇｅ的含量，程序用标样进行了检验，误差小于１２％。 |
| 关 键 词： | 单晶硅 杂质 锗 X射线荧光分析 基本参数法 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |
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