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相场方法模拟氙枝晶生长研究
引用本文:陈志,陈长乐,郝丽梅. 相场方法模拟氙枝晶生长研究[J]. 功能材料, 2007, 38(12): 2097-2100
作者姓名:陈志  陈长乐  郝丽梅
作者单位:西北工业大学,理学院应用物理系,陕西,西安,710076;西安科技大学,基础部,陕西,西安,710054
摘    要:基于相场方法对纯物质的凝固过程进行了二维数值模拟.以氙为例,展示了界面形貌的演化过程,研究了相场参数对枝晶界面形貌的影响.结果表明,随着过冷度值的增加,晶核由一圆核逐渐发展为发达的枝晶,相应的枝晶稳态尖端速度明显加快;随着耦合系数的增大,晶核由一圆核发展为细长的枝晶,枝晶的稳态尖端速度呈单调递增趋势,界面的稳定性逐渐变差.

关 键 词:相场方法    枝晶生长  尖端速度  各向异性  过冷度
文章编号:1001-9731(2007)12-2097-04
收稿时间:2007-05-17
修稿时间:2007-07-02

Research of simulation dendritic growth of xenon by phase field method
CHEN Zhi,CHEN Chang-le,HAO Li-mei. Research of simulation dendritic growth of xenon by phase field method[J]. Journal of Functional Materials, 2007, 38(12): 2097-2100
Authors:CHEN Zhi  CHEN Chang-le  HAO Li-mei
Abstract:
Keywords:phase field method   xenon   dendritic growth   tip velocity   anisotropy   undercooling
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