| 氢离子注入对Si-SiO_2界面态密度的影响 |
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| 引用本文： | 王玲杰,林应新,陈泉森,吴作良. 氢离子注入对Si-SiO_2界面态密度的影响[J]. 固体电子学研究与进展, 1986, 0(3) |
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| 作者姓名： | 王玲杰 林应新 陈泉森 吴作良 |
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| 作者单位： | 华中工学院(王玲杰，林应新)，中国科学院上海技术物理研究所(陈泉森)，中国科学院上海技术物理研究所(吴作良) |
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| 摘 要： | 采用离子注入技术,可使栅氧化层的界面态密度从一般的10~(10)cm~(-2).eV~(-1)左右降到1×10~9cm~(-2).eV~(-1)以下.通过对比实验,找到在具体实验条件下的最佳离子注入剂量、退火温度和退火时间.用扩散理论和化学反应平衡理论解释了实验结果.
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Effects of Hydrogen Ion Implantation on Si-SiO_2 Interface State Density |
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| Abstract: | The interface state density in normal oxide layer can be reduced from 1010cm-2·eV-1 to less than 1.0 × 109cm-2·eV-1 using a hydrogen ion implantation technique. By comparison, the optimum ion dose, annealing temperature and time are found. The results are expounded, according to the diffusion and chemical balanced reaction theory. |
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