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悬臂式RF MEMS开关的设计与研制
引用本文:郭方敏,赖宗声,朱自强,贾铭,初建朋,范忠,朱荣锦,戈肖鸿,杨根庆,陆卫.悬臂式RF MEMS开关的设计与研制[J].半导体学报,2003,24(11):1190-1195.
作者姓名:郭方敏  赖宗声  朱自强  贾铭  初建朋  范忠  朱荣锦  戈肖鸿  杨根庆  陆卫
作者单位:华东师范大学信息科学和技术学院,华东师范大学信息科学和技术学院,华东师范大学信息科学和技术学院,华东师范大学信息科学和技术学院,华东师范大学信息科学和技术学院,华东师范大学信息科学和技术学院,华东师范大学信息科学和技术学院,中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室,中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室 上海200062,中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083,上海200062,上海200062,上海200062,上海200062,上海200062,上海200062,上海200050,上海200050,上海200083
基金项目:国家重点基础研究发展计划(973计划);G1999033105;
摘    要:介绍了一种制作在低阻硅(3~8Ω·cm)上的悬臂式RF MEMS开关.在Cr/ Au CPW共面波导上,金/Si Ox Ny/金三明治结构或电镀金作为悬置可动臂,静电受激作为开关机理.当开关处于“关断”态,其隔离度小于- 35 d B(2 0~4 0 GHz) ;阈值电压为13V ;开关处于“开通”态,插入损耗为4~7d B(1~10 GHz) ,反射损耗为- 15 d B.另外,还分析了开关的悬臂梁弯曲度与驱动电压的关系,并应用ANSYS软件对开关进行了电学、力学及耦合特性的计算机模拟

关 键 词:悬臂梁    插入损耗    隔离度    ANSYS软件    阈值电压
文章编号:0253-4177(2003)11-1190-06
修稿时间:2002年11月14日

Design of Micro Electro Mechanical System RF Switch
Guo Fangmin ,Lai Zongshen ,Zhu Ziqiang ,Jia Ming ,Chu Jianpeng ,Fan Zhong ,Zhu Rongjin ,Ge Xiaohong ,Yang Genqing and Lu Wei.Design of Micro Electro Mechanical System RF Switch[J].Chinese Journal of Semiconductors,2003,24(11):1190-1195.
Authors:Guo Fangmin    Lai Zongshen  Zhu Ziqiang  Jia Ming  Chu Jianpeng  Fan Zhong  Zhu Rongjin  Ge Xiaohong  Yang Genqing and Lu Wei
Affiliation:Guo Fangmin 1,3,Lai Zongshen 1,Zhu Ziqiang 1,Jia Ming 1,Chu Jianpeng 1,Fan Zhong 1,Zhu Rongjin 1,Ge Xiaohong 2,Yang Genqing 2 and Lu Wei 3
Abstract:
Keywords:cantilevered arm  low loss  isolation  finite cell analysis  threshold voltage
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