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| 用硅化物作注入阻挡层形成浅结 | |
| 引用本文： | 鲍希茂,严海,茅保华.用硅化物作注入阻挡层形成浅结[J].半导体学报,1993,14(6):368-374. |
| 作者姓名： | 鲍希茂 严海 茅保华 |
| 作者单位： | 南京大学物理系和固体微结构实验室，南京电子器件研究所，南京电子器件研究所 南京 210008，南京 210016，南京 210016 |
| 摘 要： | 本文介绍一种在n型Si衬底上制备浅p~+-n结的方法。在Si衬底上通过固相反应形成一定厚度的TiSi_2薄膜后,穿过TiSi_2层进行离子注入掺杂,经快速热退火可形成浅P~+-n结。TiSi_2薄膜既作为离子注入时的阻挡层,减小离子注入深度,又作为器件的电极及互联引线。这是一种自对准工艺。 |
| 关 键 词： | 半导体器件 P－N结 离子注入 硅化物 |
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