| 脉冲激光沉积c轴取向BiCuSeO外延薄膜及其热电性能 |
| |
| 引用本文： | 袁大超,郭双,郝建军,马跃进,王淑芳.脉冲激光沉积c轴取向BiCuSeO外延薄膜及其热电性能[J].材料导报,2019,33(1). |
| |
| 作者姓名： | 袁大超 郭双 郝建军 马跃进 王淑芳 |
| |
| 作者单位： | 河北农业大学机电工程学院,保定071001;河北大学物理科学与技术学院,保定071002;河北大学物理科学与技术学院,保定,071002;河北农业大学机电工程学院,保定,071001 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金;国家自然科学基金;河北省自然科学基金;河北省自然科学基金;河北省自然科学基金 |
| |
| 摘 要： | 利用脉冲激光沉积技术在SrTiO3单晶基片上制备了BiCuSeO薄膜并详细研究了沉积温度对薄膜晶体结构、微观形貌及热电输运性能的影响。在最佳沉积温度(330℃)下,所制备的BiCuSeO薄膜不含任何杂相且沿c轴取向外延生长,与基片的外延关系为010]SrTiO3∥010]BiCuSeO和001]SrTiO3∥100]BiCuSeO。电学性能测试表明该薄膜在20～350 K内均表现出金属导电特性,室温电阻率仅为12.5 mΩ·cm,远低于相应的多晶块体材料。计算所得的室温功率因子PF约为3.3μW·cm-1·K-2,高于相应的多晶块体材料,表明c轴取向BiCuSeO外延薄膜在薄膜热电器件领域具有重要的应用前景。
|
| 关 键 词： | 铋铜硒氧外延薄膜 c轴取向 热电性能 脉冲激光沉积 |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
