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AlxGa1-xN日盲紫外探测器及其焦平面阵列
引用本文:赵文伯,赵红,叶嗣荣,黄烈云,唐遵烈,罗木昌,杨晓波,廖秀英,向勇军,邹泽亚.AlxGa1-xN日盲紫外探测器及其焦平面阵列[J].半导体光电,2009,30(1):21-24.
作者姓名:赵文伯  赵红  叶嗣荣  黄烈云  唐遵烈  罗木昌  杨晓波  廖秀英  向勇军  邹泽亚
作者单位:重庆光电技术研究所,重庆,400060;重庆光电技术研究所,重庆,400060;重庆光电技术研究所,重庆,400060;重庆光电技术研究所,重庆,400060;重庆光电技术研究所,重庆,400060;重庆光电技术研究所,重庆,400060;重庆光电技术研究所,重庆,400060;重庆光电技术研究所,重庆,400060;重庆光电技术研究所,重庆,400060;重庆光电技术研究所,重庆,400060
摘    要:报道了320×256元AlxGa1-xN日盲型紫外探测器及其焦平面阵列探测器的研制情况,介绍了材料生长、器件制备工艺和器件的光电特性.器件的开启电压大于3.5 V,-0.5 V偏压时暗电流小于1.2×10-12A(φ=300 μm台面),光谱响应范围260~280 nm,268 nm峰值波长的响应度大于0.095 A/W.器件实现了日盲紫外成像演示.

关 键 词:AlxGa1-xN  日盲探测器  紫外焦平面阵列  pin光电二极管

Solar-blind Photodetectors and Focal Plane Arrays Based on AlxGa1-xN
ZHAO Wen-bo,ZHAO Hong,YE Si-rong,HUANG Lie-yun,TANG Zun-lie,LUO Mu-chang,YANG Xiao-bo,LIAO Xiu-ying,XIANG Yong-jun,ZOU Ze-ya.Solar-blind Photodetectors and Focal Plane Arrays Based on AlxGa1-xN[J].Semiconductor Optoelectronics,2009,30(1):21-24.
Authors:ZHAO Wen-bo  ZHAO Hong  YE Si-rong  HUANG Lie-yun  TANG Zun-lie  LUO Mu-chang  YANG Xiao-bo  LIAO Xiu-ying  XIANG Yong-jun  ZOU Ze-ya
Abstract:
Keywords:AlxGa1-xN
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