| 800 V SOI介质隔离技术研究 |
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| 引用本文： | 杨春,刘勇,罗萍,罗晓蓉,王华.800 V SOI介质隔离技术研究[J].微电子学,2006,36(3):265-268. |
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| 作者姓名： | 杨春 刘勇 罗萍 罗晓蓉 王华 |
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| 作者单位： | 1. 电子科技大学,IC设计中心,四川,成都,610054
2. 中国电子科技集团公司,第二十四研究所,重庆,400060 |
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| 摘 要： | 高低压隔离是SOI(Silicon-on-Insulator)高压功率集成电路的关键问题之一。文章对SOI介质隔离问题进行了深入研究。通过理论分析和数值仿真,探讨其耐压机理,并对结构参数进行了优化;设计了包含低淀氮化硅、化学机械抛光(CMP)等关键步骤的新的SOI介质隔离工艺流程。实验结果表明,在膜厚为20μm的SOI上,可以实现击穿电压800 V以上的介质隔离结构。
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| 关 键 词： | SOI 介质隔离 化学机械抛光 击穿电压 |
| 文章编号： | 1004-3365（2006）03-0265-04 |
| 收稿时间： | 2005-08-23 |
| 修稿时间： | 2005-08-232005-11-05 |
An Investigation into 800 V SOI Dielectric Isolation Technology |
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| YANG Chun,LIU Yong,LUO Ping,LUO Xiao-rong,WANG Hua.An Investigation into 800 V SOI Dielectric Isolation Technology[J].Microelectronics,2006,36(3):265-268. |
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| Authors: | YANG Chun LIU Yong LUO Ping LUO Xiao-rong WANG Hua |
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| Affiliation: | 1. IC Design Center, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, Sichuan, 610054, P. R, China; 2. Sichuan Institute of Solid State Circuits, China Electronics Technology Group Corporation, Chongqing, 400060, P. R. China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SOI Dielectric isolation CMP Breakdown-voltage |
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