用正电子湮没寿命谱学法研究聚四氟乙烯改性和结晶度关系

该文首次提出用ｅ￣＋湮没寿命谱学参数计算ＰＴＦＥ的结晶度：研究了退火、￣（６０）Ｃｏ的低剂量照射对结晶度影响的机理；揭示出次长成份是ｅ￣＋、Ｏ－Ｐｓ捕获态的过渡态，在该态中不存在Ｐ－Ｐｓ的捕获湮没。     

讨论e~+e~-湮没两喷注事例的多重数分布和快度分布

首先讨论e~+e~-湮没的碎裂机制,给出了两喷注事例全快度区域多重数分布;引入配分温度概念的讨论,得到了末态粒子的快度分布     

深冷处理对Cu-15Ni-8Sn合金电性能的影响

采用正电子湮没试验方法测定了Cu 15Ni 8Sn合金在经过不同深冷处理工艺后点缺陷(空位)的浓度变化,并用双臂直流电桥测定了电阻率的变化.研究表明,深冷处理能够减小合金中的空位浓度,降低电阻率,提高合金的导电性.此外,试验表明该弹性导电合金的最佳深冷处理工艺为深冷60min.     

锰氧化物La0.67Ca0.33Mn0.9A0.1O3的正电子湮没研究

采用固相反应法制备了La0.67Ca0.33Mn0.9A0.1O3(其中A为Cr、Co、Fe、Al、Cu)系列Mn位替代的氧化物样品;利用正电子湮没对该系列样品的结构缺陷进行了分析,结果表明:τ1的变化范围不大,表明样品主要受大尺寸点缺陷的影响,τ2的变化比较明显,说明样品内存在一定数量的空洞及微空洞等缺陷.类比合金中正电子长寿命与缺陷簇之间的关系,估算了元素替代后样品的缺陷半径大小,可能大的空位团簇、位错和晶界在样品中起着重要作用.按Cr、Co、Fe、Al、Cu的掺杂顺序,平均寿命τavg逐渐增加,而电子密度ne则逐渐减小.说明元素掺杂引起锰离子局域环境的改变,样品中的铁磁与反铁磁作用的相互竞争及样品内部电子局域化所形成的极化行为等因素的影响,导致了正电子寿命各参数的变化.     

用PAT和SAXS研究羧酸型聚酯聚氨酯离聚体的微畴结构

本文用羧酸型聚酯聚氨酯离聚体和它的金属盐材料作正电子湮没(PAT),小角X射线散射(SAXS)以及比重法测量材料密度的实验,实验的结果表明,随着金属离子价数的增加,反离子半径增大,微畴体积增大,材料中的自由体积减小。本文还讨论了PAT和SAXS实验应用范围,并表明PAT是研究羧酸型盐聚酯聚氨酯离聚体微畴结构的有意义的方法。     

用正电子湮没寿命技术研究纯铜的形变缺陷

本文用正电子湮没寿命方法研究了形变纯铜缺陷产生的特点及其运动规律,讨论了位错密度和形变量之间的关系以及正电子寿命方法研究形变缺陷的适用范围。对试样所作的TEM观测得到与正电子寿命方法定性一致的结果。     

未掺杂SI-GaAs退火行为的正电子湮没研究

用正电子湮没技术,研究了未掺杂的SI-GaAs退火行为。结果表明,长寿命分量τ_2的变化不仅与镓空位而且和多镓空位络合物有关。本文还讨论了电子和中子辐照的影响。     

掺杂SrTiO_3陶瓷的介电性及正电子湮没

本文应用正电子湮没寿命谱方法研究掺杂SrTiO_3陶瓷的介电性.通过对不同掺La量SrTiO_3的介电常数、损耗因子、正电子在样品中的湮没寿命的测量,发现介电常数、损耗因子随掺La量的变化与正电子寿命参量的变化存在着某种关系;文中用Sr空位及La离子与Sr空位缔合体模型解释了这些变化与关系.