三维Hubbard－Hirsch模型的铁磁性

应用么正变换微扰论和平均场近似研究了三维Ｈｕｂｂａｒｄ－Ｈｉｒｓｃｈ模型的铁磁性．发现单中心积分常数Ｕ太小或太大时，只有双中心的交换积分常数Ｊ″＞Ｊ″Ｃ＞０，才可能有铁磁性．而Ｕ为中间值时，Ｊ″＝０需要用其他方法进一步研究．掺杂结果不利于铁磁性，使铁磁相的区域比无掺杂的半满情况减少     

Magnetism in Mn and Co doped ZnO bulk samples

Bulk samples with nominal composition Zn0.95Co0.05O and Zn0.92Co0.05Mn0.03O were fabricated by a solid-state reaction method at 600℃.X-ray diffraction experiment showed that the peaks of secondary phase Co3O4 with a cubic structure were visible in both samples,besides the main peaks of wurtzite structure as ZnO.Magnetization measurement indicated that doping Co alone can induce ferromag- netism in ZnO itself,while the introduction of Mn significantly enhances ferromagnetism.However, both samples showed different magnetic behavior at temperatures below 50 K.It was also noted that ferromagnetic coupling interaction was weakened due to the presence of antiferromagnetic Co3O4.     

掺杂EuSr_2Ru_(1-x)Nb_xCu_2O_8体系的磁性和超导电性

通过对EuSr2 Ru1-xNbxCu2 O8体系的结构、磁化强度和电阻进行观测 ,结果发现 :EuSr2 RuCu2 O8样品呈现超导电性和铁磁性共存 .其超导临界温度为Tconset≈ 35K ,Tc(ρ =0 ) =10K ,铁磁相变温度为TM=130 .2K ;Nb部分替代Ru同时导致铁磁相变温度和超导临界温度的下降 ,前者进一步说明了EuSr2 RuCu2 O8体系中磁有序仅来源于Ru的磁矩 ,而超导临界温度的下降则是由于CuO2 平面载流子浓度下降所致 .     

Spray Pypolysed Thin Film Transparent Ferromagnetic Sdmiconductors for Spintronics

1 Results Inducing order in spin degree of freedomof charge carriers in conventional semiconductors and gettingroomtemperature ferromagnetism(RTFM) is an ongoing challenge in realizing spintronic devices .     

自旋S=1双层铁磁—反铁磁的零温磁矩

采用线性自旋波理论导出铁磁－反铁磁双层系统的Ｈｅｉｓｅｎｂｅｒｇ模型哈密顿量，采用矩阵格林函数运动方程技术，得到自旋波的色散关系，利用数值计算方法计算了铁磁－反铁磁双层系统的低温内能。     

Nb掺杂锐钛矿TiO2室温铁磁性的载流子调控

在LaAlO3(100)基片上,利用激光脉冲沉积(PLD)制备了不同Nb掺杂浓度的高质量锐钛矿TiO2(Ti1-xNbxO2)薄膜,考察了不同掺杂浓度(不同载流子浓度)对薄膜磁学性质的影响。结果表明所有掺杂的薄膜都具有室温铁磁性,且在低掺杂区(x<1%),薄膜的磁性随掺杂浓度的增大而增大,当进入高掺杂区(1%相似文献   

不同气氛沉积和后退火处理的HfOx〈2薄膜的弱铁磁性

无磁性掺杂HfO2薄膜的室温弱铁磁性是2004年发现的一种不能用传统固体铁磁理论释的奇特磁现.本文用射频磁控溅射方法在不同气中制备和后退火HfOx薄膜样品,对比研究气对其室温弱铁磁性的影响.物析表明,室温沉积在蓝石衬底上的HfOx薄膜为部晶的单斜多晶薄膜,且存在一定程度的氧失配.室温磁性测量果显示HfOx〈2多晶薄膜具有典型的弱铁磁性磁化曲,且饱和磁矩具有各异性.对比实验果表明,缺氧气（纯氩或氩氮混合气）中沉积薄膜的和磁矩略大于富氧气（氩氧混合气）中沉积薄膜的和磁矩.缺氧气（纯氮和高真空）中后退火处理后,薄膜饱和磁矩随着退火温度的升高而增大;而纯氧气中后退火处理后,薄膜和磁矩大幅减小.沉积和后退火气中氧含量的高低对薄膜和磁矩的显影响表明氧空位是HfOx〈2薄膜弱铁磁性的要来源之一.     

EUSr2-xBax RUCU2O8体系的固溶性和物性研究

报道了Ba掺杂EuSr2 -xBaxRuCu2 O8(0≤x≤ 0 .4)样品的合成以及对其固溶性和物性的研究 .实验发现 :x=0和 0 .2两样品具有很好的单相性 ,其结构与YBa2 Cu3 O7结构相类似 ;而在x≥ 0 .3样品中出现了Ba2 EuRuO6(2 116相 )杂相 ,在该体系中 ,Ba替代Sr的单相固溶范围为 0≤x <0 .3;在单相范围内 ,Ba对Sr替代导致样品的有效Bohr磁矩、自发磁矩和正常态电阻率减小 ,但对其超导临界温度和铁磁相变温度影响不明显     

V掺杂AlN的电子结构和铁磁性质研究

采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,对V掺杂AlN的电子结构和铁磁性质进行了研究.结果表明,V掺杂后,由于V 3d与N 2p轨道杂化在半导体能隙中产生自旋极化杂质带,材料表现出半金属铁磁性,其磁矩主要来自以V原子为中心的VN4四面体.另外,通过对V掺杂AlN的铁磁稳定性的研究发现,V原子之间为铁磁耦合时体系处于稳定的基态,并且有围绕N原子形成团簇的趋势,随着V原子间距离的增加,体系FM和AFM态的能量将趋于简并.     

小波变换式铁磁材料表面探伤

由于铁磁性材料的表面缺陷和励磁磁场相互作用可产生漏磁场,采用霍尔元件测量漏磁场以实现铁磁性材料表面探伤.研究表明,可通过选用线性度良好的霍尔元件、真有效值AC/DC电压转换器、高稳定度的直流恒流源电路和高稳定度的交流高频恒流源电路来提高测量精度.另外,为了消除干扰信号,将声表面波式小波反变换处理器件应用于铁磁性材料表面探伤中.理论和试验结果表明,声表面波式小波反变换处理器能够有效地消除干扰信号