40Cr大轴断裂分析

对冶金矿山某产品的40Cr材料制作的大轴热处理后发生断裂现象，进行了理化检验及综合分析，找出了造成大轴断裂原因－首先是由于存在淬火应力，而未得到及时回火，其次是原材料中存在严重的冶金缺陷。     

ZnWo4：Cr^3＋的吸收光谱研究

本文通过对ZnWo4:Cr^3 晶体的光学吸收谱的观测资料^[1]的分析，假定Cr^3 杂质的有效晶场的八面体结构的变形后的D4晶场。采用Oh点群表象准对角型简化强场方案，导出了d^3-D4强场能量矩阵。首次计算了ZnWo4:Cr^3 的自旋允许谱精细结构。理论计算结果与实验吻合较好。     

用同步辐射XRF研究单晶硅中掺杂元素As的分布

半导体材料中掺入少量杂质元素可以改变材料性能,掺杂元素在晶体中的含量和分布直接影响材料的质量。电子技术的发展需要批量生产出高质量的各种掺杂的硅单晶材料,这就要求建立一种快速准确的分析测试手段与之相适应。 同步辐射X射线荧光(SRXRF)是80年代发展起来的一种新技术。同步辐射光源具有高     

薄膜阻尼结构的处理位置优化

本文介绍薄膜阻尼结构在使用时，如何选取处理位置才能达到预期的效果．     

pH、温度和浓度对苯酚在V掺杂MoOx-C/Ti电极上的电催化氧化的影响

采用溶胶-凝胶法合成MoOx、MoOx-V5 (x%)胶体,通过Vulcan XC-72炭黑负载制备炭载钼系氧化物电催化剂.利用循环伏安法(CV)测试手段研究苯酚在电极上的氧化降解,考察了掺杂元素、溶液pH值、苯酚浓度、扫描速率、温度对苯酚氧化性能的影响.测试结果表明:苯酚在电极上的氧化是受扩散和电子转移联合控制的复杂过程;掺杂过渡金属元素V可以降低苯酚氧化的表观活化能,提高电化学性能;溶液的pH值越低,MoOx-C/Ti电极对苯酚的催化氧化活性越高;pH在0～6,苯酚的氧化经历了相似的历程,包含了相同的电子数和质子数;苯酚氧化峰电流随着浓度、温度的增加而增加,到一定程度后趋于稳定.     

掺Sb对Bi（Pb）SrCaCuO超导电性的影响

研究了掺Ｓｂ对ＢｉＳｒＣａＣｕＯ超导电性的影响，对Ｂｉ系统料中Ｓｂ，Ｐｂ的最佳含量和烧结工艺进行了探索。     

LB薄膜技术应用研究

LB薄膜技术是目前国际材料学科研究的热门领域，理工学院材料物理研究人员曾赴英国在此领域与国外进行较为长期的合作开发工作。