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1.
本研究用膏剂法进行无孔渗硅研究,透射电镜、电子探针和M351腐蚀仪分析证实:获得了致密、无孔隙、具有良好耐磨性和耐腐蚀性的渗硅层,并分析了渗硅层形成机理及表层疏松层以及内部孔隙成因。 相似文献
3.
4.
用同步辐射XRF研究单晶硅中掺杂元素As的分布 总被引:1,自引:0,他引:1
半导体材料中掺入少量杂质元素可以改变材料性能,掺杂元素在晶体中的含量和分布直接影响材料的质量。电子技术的发展需要批量生产出高质量的各种掺杂的硅单晶材料,这就要求建立一种快速准确的分析测试手段与之相适应。 同步辐射X射线荧光(SRXRF)是80年代发展起来的一种新技术。同步辐射光源具有高 相似文献
5.
单标准光度法快速测定钢中硅邹亚联,张胜义(合肥轴承厂化验室230033)(安徽大学化学系合肥230039)硅是钢中重要的合金元素之一。对于硅的分析方法,常见的有重量法和容量法['],电化学分析法[2],荧光光谱法*1,原子发射光谱法['',原子吸收光... 相似文献
6.
8.
史济群 《华中科技大学学报(自然科学版)》1994,(3)
报道一种新颖的激光开槽、埋槽电极硅太阳电池的结构、工艺流程及其研制结果。在AM1.5,25℃,100mW/cm2的条件下,以面积为45cm3的36片硅片研制的硅太阳电池的输出参数的平均值为JSC=36.1mA/cm2,V∞=633mV,F.F.=0.798,η=18.23%,最后分析了种高性能硅太阳电池的设计特点。 相似文献
9.
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