首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   27783篇
  免费   4211篇
  国内免费   3644篇
工业技术   35638篇
  2024年   838篇
  2023年   2546篇
  2022年   3169篇
  2021年   3375篇
  2020年   2433篇
  2019年   2244篇
  2018年   1022篇
  2017年   1006篇
  2016年   825篇
  2015年   881篇
  2014年   1365篇
  2013年   1102篇
  2012年   1325篇
  2011年   1380篇
  2010年   1301篇
  2009年   1350篇
  2008年   1424篇
  2007年   1204篇
  2006年   1032篇
  2005年   906篇
  2004年   725篇
  2003年   559篇
  2002年   500篇
  2001年   436篇
  2000年   315篇
  1999年   271篇
  1998年   277篇
  1997年   263篇
  1996年   216篇
  1995年   220篇
  1994年   184篇
  1993年   140篇
  1992年   140篇
  1991年   157篇
  1990年   176篇
  1989年   114篇
  1988年   59篇
  1987年   28篇
  1986年   42篇
  1985年   34篇
  1984年   21篇
  1983年   13篇
  1982年   9篇
  1981年   1篇
  1980年   1篇
  1959年   5篇
  1951年   4篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1.
2.
3.
4.
陈伟 《中国有线电视》2006,(22):2200-2203
设计并实现了一种DVB—T调制器的外码编码器,着重介绍了码流自适应接口、能量扩散、RS编码器及卷积交织器的设计方法,该设计方案最终在Altera的FPGA上进行验证。  相似文献   
5.
基于IP核复用技术的SoC设计   总被引:5,自引:1,他引:4  
概述了国内外IP产业的发展情况,论述了我国发展IP核复用技术SoC设计的可能性和必要性,指出我国急需发展的关键芯片及IP核种类.  相似文献   
6.
8Li次级束的产生   总被引:4,自引:3,他引:1  
在北京串列加速器次级束流线上通过2 H(7Li,8Li) 1H逆运动学反应产生了用于核天体物理研究的8Li次级束。准直后的次级束纯度达到 80 %以上 ,对于 44MeV的7Li强度约为 3 0s- 1·pnA- 1,可以用来进行逆几何转移反应的实验测量。  相似文献   
7.
介绍一种基于快速平台测井要求的多通道核能谱测井仪设计方案。复杂可编程逻辑器件的应用使仪器功能增强,规模减小。该系统可对岩性密度长短源距脉冲信号、自然γ能谱脉冲信号进行多道脉冲幅度分析,并对补偿中子测井信号及井下多路常规模拟信号、脉冲信号进行数字化采集。数据传输采用曼彻斯特编码,传输方式可选择20kB/s半双工(兼容Atlas 3508)或下行20kB/s、上行41.66或93.75kB/s全双工方式(兼容Atlas WTS),适应挂接到不同测井系统的需要。  相似文献   
8.
本文研究了在秦山核电厂批平均卸料燃耗深度超过原定限值的情况下,为保证电厂的安全运行对DNBR限值进行重新确认的问题。研究过程中,综合考虑了由燃耗加深所引起的核焓升因子的变化和棒弯曲这两种效应对DNBR限值的影响。结果表明,对秦山核电厂而言,在批平均卸料燃耗超过原定限值的情况下,维持原DNBR限值不变仍是安全可行的。  相似文献   
9.
吴峻岭  黄靖  朱平 《机械制造》2008,46(3):40-43
以汽车前保险杠撞柱为侧,研究了材料的应变率及拉、压非对称特性对于仿真得到的零件变形过程、零件吸能特性以及碰撞力变化的影响。结果发现,材料应变率及拉、压非对称特性对仿真结果影响很大。对于某些特殊金属材料如镁合金,在仿真中必须考虑其材料应变率及拉、压非对称特性。  相似文献   
10.
2008年7月14日.广东省召开全省知识产权工作会议暨广东省重奖中国专利奖获奖单位奖励大会。中科院广州能源所的发明专利“一种非对称结构的内循环生物质流化床气化炉”因获得近期颁发的中国专利优秀奖而得到50万元的奖金。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号