Epson的业内首款柔性TFT SRAM存储器

SeikoEpson公司（“Epson”）日前宣布开发出业内首款柔性TFT—SRAM（16 kbits）。公司期望TFT—SRAM在未来被用作小而轻的柔性电子器件的关键元件。     

新一代NV SRAM技术

第一代NV SRAM模块问世近20年来，NVSRAM技术不断更新，以保持与各种应用同步发展，同时满足新的封装技术不断增长的需求。     

双口RAM在大屏幕LED显示系统中的应用开发

双口RAM与常规RAM的最大区别是双口RAM具有两套独立的地址、数据和控制线,允许两个独立的CPU或控制器同时异步地访问存储单元,双口RAM由片内的仲裁逻辑来确定哪一侧的CPU可以访问内部RAM单元.IDT7132是2kB的标准双口RAM.文中重点介绍采用以自顶向下方法设计的基于CLD(复杂可编程逻辑器件)的大屏幕LED(发光二极管)显示系统中双口RAM的应用,并给出了系统设计方法及相关硬件电路.本设计中IDT7132双口RAM用来连接单片机信号处理模块和CPLD扫描模块.     

智能扩展板的数据通信

本文介绍嵌入主处理计算机中的智能扩展板－－从处理机，与主处理机进行高速数据传送的方法，主要有双口存贮器法和ＦＩＦＯ法，并介绍几种有关电路的性能和用途。     

一种低压低功耗SRAM/SOI单元设计

提出一种改进4管自体偏压结构SRAM/SOI单元.基于TSUPREM4和MEDICI软件的模拟和结构性能的分析,设计单元结构并选取结构参数.该结构采用nMOS栅下的含p+埋沟的衬底体电阻代替传统6管CMOSSRAM单元中的pMOS元件,具有面积小、工艺简单的优点.该结构可以在0.5V的电源电压下正常工作,与6管单元相比,该单元瞬态响应正常,功耗只有6管单元的1/10,满足低压低功耗的要求.     

芯原发布针对中芯国际0．15μm（G／LV）工艺技术的标准单元库

业界领先的系统级芯片智能模块供应商芯原微电子，10月10日正式发布针对中芯国际集成电路制造有限公司(中芯国际)0．15μm一般性和低压CMOS工艺的标准设计平台。该标准平台包括标准单元库(standard cell library)，输入/输出单元库(I／O cell library)和单/双口静态存储器(single port and dualport SRAM)的存储器编译器，     

Z-World低成本紧凑型微处理器内核模块

Z．World／Rabbit Semiconductor公司推出的RCM3600和RCM3700 RabbitCores据称是价格最低的Rabbit微处理器内核，主要用于工业应用(以太网，因特网中使用RCM3700)。这两款RabbitCore具有512K Flash／512K SRAM或256K Flash／128K SRAM．     

MRAM技术有望取代DRAM和SRAM

德国国家物理技术研究院（PTB）研发小组进行了一项实验，通过磁性介质以从物理学角度理论上可行的最快速度完成数据的存储和读写。这将有助于使磁阻式随机存取存储器（MRAM）的读写速度赶上相应的电子存储器件。