不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性

在不同注F剂量条件下,对P沟和N沟两种不同差分对输入CMOS运放电路的电离辐照响应进行了研究.分析比较了注F和未注F运放电路电离辐照响应之间的差异.结果表明,在栅场介质注入适量的F,可有效抑制辐照感生的氧化物电荷尤其是界面态的增长,从而提高CMOS运放电路的抗辐照特性.     

MPID─TOF质谱的快速时间分辨微弱信号测试系统

把瞬态记录仪Ｂｉｏｍａｔｉｏｎ８ｌ００与微型计算机ＩＢＭ─ｐＣ／ＸＴ联接建成了一个高速数据采集系统，本文介绍了系统的硬件接口设计及软件设计。在超声分子束条件下，把它应用于环氧乙烷（Ｃ＿２Ｈ＿４Ｏ）的多光子电离与离解飞行时间（ＭＰＩＤ─ＴＯＦ）质谱的实验研究中，并给出了实验结果；本系统在微观基元化学反应动力学实验研究中广泛适用于对时间分辨微弱信号的探测。     

MPID—TOF质谱的快速时间分辨微弱信号测试系统

把瞬态记录仪Ｂｉｏｍａｔｉｏｎ８１００与微型计算ＩＢＭ－ＰＣ／ＸＴ联接建成了一个高速数据采集系统，本文介绍了系统的硬件接口设计及软件设计。在超声分子束条件下，把它应用于环氧乙烷（Ｃ２Ｈ４Ｏ）的多光子电离与离解飞行时间（ＭＰＩＤ－ＴＯＦ）质谱的实验研究中，并给出了实验结果；本系统在微观基元化学反应动力学实验研究中广泛适用于时间分辨微弱信号的探测。     

HCMOS器件γ辐射损伤电路分析

本文对最基本的HCMOS器件(反相器和与非门)作了γ辐射损伤实验。通过器件性能变化,分析了γ辐射对电路的作用。     

热阴极电离真空计问答

热阴极电离真空计问答王逊（北京大学无线电电子学系）ＡｎｓｗｅｒｓａｎｄＱｕｅｓｔｉｏｎｓｏｎＨｏｔ－ｃａｔｈｏｄｅＶａｃｕｕｍＩｏｎｉｚａｔｉｏｎＧａｕｇｅ￥ＷａｎｇＸｕｎ（Ｄｅｐ．ｏｆＲａｄｉｏａｎｄＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，ＢｅｉｊｉｎｇＵｎｉｖｅ...     

辐射损伤法

辐射损伤法是寻找层间氧化带型铀矿床的方法之一。它可以评价原始铀含量和矿化年龄,有效地研究放射性异常、放射性地球化学异常及成矿演化过程,划分具有铀迁入、迁出或重新分配特征的构造单元,也可以解决地质年代的任务。     

军民用辐射防护仪器标准化与国防电离辐射计量

本文概述了核辐射监测装备（军用辐射防护仪器）与民用辐射防护仪器及其标准化、国防电离辐射计量的技术范畴以及它们的相互联系。着重论述了现代军民用辐射防护仪器标准化对国防电离辐射计量的发展需求，包括仪器量值与国防计量标准、准确度表达、计算剂量学、辐射场模拟、低辐射水平监测等方面。     

铯原子激光共振电离

用Ｎｄ：ＹＡＧ及其泵浦的染料激光进行铯原子三步共振电离。求解了非饱和共振过程速率方程，计算出基态和激发态共振吸收截面，给出电离效率分别与激发电离速率以及作用时间的变化关系，得到饱和激发电离的流量条件和通量条件。     

B16黑色素瘤细胞对血管内皮细胞辐射损伤后侵袭作用…

通过体外培养血管内皮细胞，运用＾３Ｈ－ＴｄＲ标记示踪方法建立体外Ｂ１６黑色素瘤侵袭模型，对１５Ｇ＾６０Ｃｏγ射线照射血管内皮细胞前后侵袭率的时相变化进行了研究，而且运用放免及酶标技术检测辐射前后血管内皮细胞分泌ＰＧＩ２，ＴＸＢ２ＴＰＡ，ＰＡＩ的时相性变化，以探讨辐射在肿瘤转移中的作用机理。