全文获取类型
收费全文 | 29647篇 |
免费 | 2665篇 |
国内免费 | 1809篇 |
学科分类
工业技术 | 34121篇 |
出版年
2024年 | 383篇 |
2023年 | 1181篇 |
2022年 | 1339篇 |
2021年 | 1490篇 |
2020年 | 1062篇 |
2019年 | 1102篇 |
2018年 | 606篇 |
2017年 | 880篇 |
2016年 | 977篇 |
2015年 | 1128篇 |
2014年 | 2070篇 |
2013年 | 1663篇 |
2012年 | 2149篇 |
2011年 | 2259篇 |
2010年 | 1675篇 |
2009年 | 1711篇 |
2008年 | 1929篇 |
2007年 | 1559篇 |
2006年 | 1242篇 |
2005年 | 1284篇 |
2004年 | 1129篇 |
2003年 | 1006篇 |
2002年 | 756篇 |
2001年 | 578篇 |
2000年 | 479篇 |
1999年 | 365篇 |
1998年 | 300篇 |
1997年 | 282篇 |
1996年 | 295篇 |
1995年 | 220篇 |
1994年 | 173篇 |
1993年 | 147篇 |
1992年 | 145篇 |
1991年 | 134篇 |
1990年 | 147篇 |
1989年 | 133篇 |
1988年 | 34篇 |
1987年 | 23篇 |
1986年 | 23篇 |
1985年 | 18篇 |
1984年 | 14篇 |
1983年 | 11篇 |
1982年 | 10篇 |
1981年 | 3篇 |
1980年 | 4篇 |
1965年 | 1篇 |
1959年 | 2篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
张志军 《激光与光电子学进展》2006,43(6):73-73
在美国西部光电博览会高功率二极管激光器会议上,美国的Alfalight公司公布了25℃,22W,970nm连续输出的单发激光二极管。该公司同时报道了他们在美国国防部高级计划研究署(DARPA)超高效率二极管发射源计划中的功率转换效率(PCE)为80%的目标计划进展。他们的最新结果是,带1mm长腔的占空比为20%的半导体条在25℃时的功率转换效率达到71%。 相似文献
2.
2.4GHz动态CMOS分频器的设计 总被引:1,自引:0,他引:1
对现阶段的主流高速CMOS分频器进行分析和比较,在此基础上设计一种采用TSPC(truesingle phase clock)和E-TSPC(extended TSPC)技术的前置双模分频器电路.该分频器大大提高了工作频率,采用0.6μm CMOS工艺参数进行仿真的结果表明,在5V电源电压下,最高频率达到3GHz,功耗仅为8mW. 相似文献
3.
4.
EPON与GPON技术及产品比较 总被引:3,自引:0,他引:3
宽带网络的飞速发展以及各种高带宽业务和应用的不断出现使宽带光纤接入网技术的引入摆上了议事日程,目前北美和日本光纤到户(FTTH)的建设已经规模展开,而国内FTTH的实验已经在一些地方开始实施,业内对这方面的讨论也不绝于耳。目前应用于宽带光纤接入网的技术主要有三种,它们分别是基于SDH的多业务传送技术(MSTP)、多业务的无源光网络技术(PON)和多业务点对点光端机(P2P或称MC),具有以下特点。 相似文献
5.
6.
动态源路由协议是无线自组织网络众多路由协议中被广泛关注的一种按需路由协议,目前,关于该协议的优化措施有很多。本文先分析了动态源路由协议的一种优化机制——路由自动缩短,该机制能动态缩短处于工作状态路由的跳数,但不保证缩短路由的质量,在此基础上,提出一种自适应路由自动缩短机制,新机制既可缩短路由.又能保证缩短路由质量.理论分析及仿真结果表明,自适应路由缩短机制的各项性能优于原路由缩短机制。 相似文献
7.
IP技术的发展,产生了大量以以太网技术为基础的接入技术。EPON就是其中之一,并且以其综合的优势被寄予厚望,被认为是解决宽带接入“第一公里”瓶颈的最佳方案。然而随着EPON标准化进程的推进,也显现出一些意想不到的问题。由于EPON是基于Ethernet的,在传输实时业务方面带来了不少麻烦。同时EPON采用共享型的拓扑和下行数据广播方式,不可避免地面临安全性问题。本文着重分析EPON所面临的两大主要问题:多业务支持和安全问题;并在此基础上提出解决这些问题的初步构想。 相似文献
8.
《现代表面贴装资讯》2006,5(3):84-85
LPKF Laser & Electronics,DEK International,Juki Automation Systems IFs-X2,无源组件和连接器AVX,Specnor Tecnic Intl.Corp, 相似文献
9.
分别利用Ga2O3粉末和Ga2O3凝胶作为Ga源,采用NH3为N源,在950℃下,分别将两种反应物与流动的NH3反应20 min合成了GaN微晶。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)对微晶进行结构、形貌的分析,特别是对两种不同途径合成GaN微晶的XRD进行了分析比较。结果表明,当Ga源温度为950℃时两种不同的合成途径均可得到六方纤锌矿结构的GaN单晶颗粒,在氮化温度为850℃和900℃时,利用Ga2O3粉末作为Ga源,仅有少量的Ga2O3转变为GaN;而采用Ga2O3凝胶作为Ga源,在相同的温度下,大部分凝胶经过高温氨化反应均可转化为GaN。 相似文献