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1.
钨合金圆筒爆破试验破片分布的统计分析 总被引:1,自引:1,他引:0
采用圆筒爆破试验方法研究了易碎型钨合金的破片分布特征,并与93W合金的结果进行了对比.对破片的数量和质量分布特征进行了统计分析,发现易碎型钨合金的破片率明显高于93W合金,而且破片的均匀性也明显好于93W合金,但易碎钨合金的破片回收率低于93W合金,而且受装药量的影响较大. 相似文献
2.
3.
简述了我国钨矿业概况、现有采选技术水平及钨矿加工利用率 ;从资源配置出发 ,阐述了钨矿业发展存在的几个主要问题 ,并且针对性地提出了可持续发展的几点建议。 相似文献
4.
V. F. Ivanov A. A. Nekrasov K. V. Tcheberiako A. V. Vannikov A. S. Posed'ko S. I. Lishik Yu. V. Trofimov 《Journal of the Society for Information Display》2003,11(1):11-14
Abstract— An all solid‐state photoelectrochromic element (PECE) was developed on the basis of electrochromic layers of WO3 and polyaniline with a layer of polymer electrolyte placed on a base of polyamidosulfoacid, in which a thin‐film CdSxSe1?x photoresistor was used as an electronic key. The dependence of the sensitometric characteristics of the PECE on the applied voltage was studied. 相似文献
5.
6.
低工作温度的氧化钨气敏材料 总被引:3,自引:0,他引:3
本文报道了一种可以在100℃左右工作的氢化钨气敏材料,它对氢气和一氧化氮有很高的灵敏度和良好的选择性,并可对空气中的一氧化氮进行探测 相似文献
7.
The XPS of bulk tungsten carbide, partially oxidized WC surfaces at 373 and 573 K as well as tungsten trioxide have been reported. Bulk WC has been prepared from WO3 as a starting material in a mixture of CH4 (20%) and H2 (80%) at 1150 K for 4 h, while partially oxidized WC surfaces were prepared by oxygen chemisorption on a clean WC surface at 200 K, then the temperatures were raised to 373 and 573 K respectively. The XPS of a freshly prepared WC reveals the presence of a small amount of WO3 on the surface and a slightly higher concentration in the bulk. The oxygen-exposed fresh WC surfaces and surfaces treated at temperatures higher than 373 K show the presence of WO3 in a considerable quantity depending on the length and the treatment temperature. Ar+ bombardment of this partially oxidized surface reduces WO3 to WO2 and W(0), while WC is partially reduced to W(0). Isomerization reactions of alkanes on oxygen-exposed WC surface occurs in reality on a composite surface structure containing WC, WO3, WO2 and elemental W(0). 相似文献
8.
Journal of Electronic Materials - Low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) of tungsten (W) by SiH4 reduction of WF6 on Si(100) surfaces was studied in a single-wafer, cold-wall reactor over a... 相似文献
9.
10.