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1.
近日,中铝河南分公司镓产品的开发和生产取得新进展.在成功开发了荧光氧化镓、医用氯化镓材料等产品的基础上,生产工艺进一步优化,产品纯度不断提升.首次实现了氧化镓产品的批量销售,预计年内该分公司氧化镓的生产能力将初具规模。近年来,中铝河南分公司一方面不断加强质量攻关,优化生产工艺,镓产品回收率及生产能力都有了较大幅度的提高;另一方面,加强与客户沟通,深入了解市场形势和行情,确定产品定位。 相似文献
2.
3.
温度计量技术进展近况 总被引:7,自引:0,他引:7
近年来,在把ITS-90更方便地传递到工作用温度计,温度测量仪表采用信息技术和特殊工业场合测温应用方面均取得了一些进展。本文介绍了国内外温度技术在这些方面进展的状况。对温度定点,校验器,热电偶和热电阻测温,辐射测温,光纤测温和信息时代自动化系统中的温度检测仪表的重要进展分别作了介绍。 相似文献
4.
5.
从水淬渣中回收镓的试验研究 总被引:5,自引:0,他引:5
对鼓风炉(ISP法)或烟化炉水淬渣中回收镓的工艺进行了研究。结果表明,利用浓硫酸恒温熟化的独特浸出工艺,克服硅对液固分离的影响;以伯胺N9123作为萃取剂在硫酸介质中萃取镓;获得了含镓品位为2.82%的富集物。 相似文献
6.
用透射电子显微镜、扫描电镜对锑化镓材料切、磨、抛等加工工艺引入的表面损伤进行观察和检测。结果表明:切割加工是锑化镓单晶晶片表面损伤层引入的主要工序;锑化镓单晶切割片表面极不平整,有金刚砂所引起的较粗桔皮皱纹;其表面损伤层深度≤30μm;双面研磨的锑化镓晶片表面仍有较粗桔皮皱纹,但比切割片的要细,而且桔皮皱纹的深浅随磨砂(Al2O3)粒径的减小而变细变浅;晶片的表面损伤层深度(≤5μm)也随着磨砂粒径的减小而减小。一般情况下,其损伤层的深度约为磨砂粒径的1/2。机械化学抛光加工的锑化镓晶片表面的SEM像观察不到桔皮皱纹;其损伤层深度约55nm。 相似文献
7.
Ga N有较 Ga As更宽的禁带、更高的击穿场强、更高的电子饱和速度和更高的热导率 ,Al Ga N/Ga N异质结构不仅具有较 Ga As PHEMT中Al Ga As/In Ga As异质结构更大的导带偏移 ,而且在异质界面附近有很强的自发极化和压电极化 ,极化电场在电子势阱中形成高密度的二维电子气 ,这种二维电子气可以由不掺杂势垒层中的电子转移来产生。理论上 Al Ga N/Ga N HEMT单位毫米栅宽输出功率可达到几十瓦 ,而且其宽禁带特点决定它可以承受更高的工作结温 ,作为新一代的微波功率器件 ,Al Ga N/Ga N HEMT将成为微波大功率器件发展的方向。采… 相似文献
8.
根据已经发表的实验数据,针对镓铝铟磷发光材料的提出了一组经验公式及相应的曲线,作为GaAlInP可见光材料设计的依据或参考。 相似文献
9.
10.