烧成及热处理工艺对钛酸锶铅基热敏材料性能及显微结构的影响

研究了烧成及热处理工艺对钛酸锶铅基热敏材料的阻温特性及显微结构的影响。通过扫描电镜（ＳＥＭ）和能量分散仪（ＥＤＡＸ）分析了材料的显微结构及不同形貌晶粒的成份。通过对组成、烧成及热处理工艺的控制，可得到具有Ｖ型ＰＴＣＲ特性的热敏材料。     

用于高压电容器的SrTiO3基陶瓷

报道ＳｒＴｉＯ３基陶瓷的制备方法和介电性质，给出了用此种陶瓷制成的高压电容器的试验结果，并对它位进行了讨论。     

钙钛矿型钛酸锶的制备、结构与性能

钛酸锶是一种具有重要电性质的陶瓷材料 ,因而在工业上得到了广泛的应用。本文介绍了钛酸锶的几种常见的合成方法 ,并简要的介绍了钛酸锶的结构与性能     

小损耗中高压电容器陶瓷微观结构分析

通过对2B4-1500、2D4-3000、2F4-14000及2F4-11000四种陶瓷电容器介质材料进行XRD,SEM-EDAX的微观分析,探讨SrTiO_3为基和BaTiO_3为基的介电陶瓷的损耗和抗电强度与微观结构的关系。     

溶胶-凝胶法制备(Sr,Pb)TiO3纳米晶粉及表征

采用溶胶－凝胶法成功地合成了（Sr,Pb)TiO3纳米晶粉，并利用FTIR技术对凝胶的形成过程及350℃，1．5h煅烧获得的粉体材料进行了表征。实验以TG－DSC分析作为拟定煅烧温度的依据，以XRD作为煅烧产物的分析手段，最佳煅烧温度为600℃，所合成的（Sr,Pb)TiO3纳米晶粉的平均晶粒尺寸约为21nm，属钙钛矿型立方顺电相结构。     

利用扫描电镜Inlens探头观测择优取向的SrTiO3薄膜微观结构

择优取向的介电薄膜是介电材料研究中的热点.利用溶胶-凝胶法在金属和单晶基底上沉积了择优取向的钛酸锶介电薄膜,并利用扫描电镜Inlens探头对其微观结构进行了直接观测.Inlens探头对于样品表面原子层的信息非常敏感,对于导电性较差的薄膜,不需进行常规的喷金或喷碳处理,即可直接观测,大大提高了分析效率.利用二次电子像探头和Inlens探头分别对半导体性的SrTiO3薄膜的微观结构进行对比分析发现,Inlens探头的分辨率明显优于二次电子探头的.在20万倍的放大倍数下,仍能清晰观测到薄膜的表面和截面结构.     

光催化剂SrTiO3的制备及其性能的研究

论述用化学液相共沉淀法制备SrTiO_3的最佳条件,及在不同的活化条件下对SrTiO_3光催化性能的影响。此外还研究了掺入过渡金属氧化物对SrTiO_3催化性能的改善。     

一次低烧SrTiO3基晶界层电容器的研究

研究了以Ｌｉ２ＣＯ３为助烧结剂、Ｓｒ（Ｌｉ１／４Ｎｂ３／４）Ｏ３为施主掺杂剂、Ｂｉ２Ｏ３和ＳｉＯ２为晶界绝缘剂的ＳｒＴｉＯ３基晶界层电容器的一次低温烧成技术。初步探索了Ｔｉ／Ｓｒ比值、施主掺杂剂、绝缘剂对显微结构及介电性能的影响。在１１５０℃烧成温度下，获得了εａｐｐ〉３．５×１０＾４；ｐ〉１．０×１０＾１１Ω·ｃｍ；ｔｇδ〈１．０％；ΔＣ／Ｃ〈±５．０％（－２５￣＋８５℃）的ＳｒＴｉＯ３基晶界层     

SrTiO3微纳米线的制备与亲疏水性

采用水热法，使用层状钛酸盐纳米线和氢氧化锶作为前驱物，在一定反应温度和反应时间的条件下简单地制备出了超细SrTiO3粉体。结果表明，只有在反应条件和反应物配比合适时才能得到纯的SrTiO3粉体。用X-射线粉末衍射仪和扫描电镜对SrTiO3粉体进行了表征。结果表明，所制备的SrTiO3粉体绝大部分为线状，长度约20μm，直径100～500nm。用接触角仪对所制备的SrTiO3粉体的亲疏水性进行了研究。结果表明，随着反应时间的延长，反应产物SrTiO3的纯度逐渐增加，由原来的完全亲水性转变为疏水性，接触角为36．820。     

负载型SrTiO_3/HZSM-5光催化材料制备与性能研究

采用溶胶-凝胶法制备HZSM-5负载SrTiO_3,对其进行XRD,SEM,BET,BJH和FT-IR表征,研究SrTiO_3/HZSM-5光催化降解活性艳红X-3B的活性。结果表明:SrTiO_3材料的主要成分为钙钛矿结构SrTiO_3,并含有少量SrCO3相。在负载型χSrTiO_3/HZSM-5样品中,SrTiO_3包覆在HZSM-5的外表面。负载型催化剂的比表面积主要由分子筛提供,材料中的孔径主要分布在2~20nm范围内。负载后SrTiO_3的光催化活性明显提高,30%SrTiO_3/HZSM-5具有最强的光催化活性。经90min光照后,93.8%的活性艳红X-3B在30%SrTiO_3/HZSM-5上降解,而在纯SrTiO_3上只能降解23.9%。