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1.
采用水热反应的方法合成了金属镁掺杂的磷铝分子筛MgAPO-5,通过XRD、DR UV-Vis、FT-IR等手段对其结构性能进行表征,并以亚甲基蓝溶液为目标降解物,在可见光下考察了MgAPO-5的光催化性能.结果表明,MgAPO-5具有与AlPO4-5相同的分子筛结构,掺杂的镁可能存在于磷铝分子筛的骨架中,在可见光下对亚甲基蓝溶液具有优良的光催化性能,反应5 h,脱色率可达92.5%.  相似文献   
2.
直流反应磁控溅射生长p型ZnO薄膜及其特性的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
  相似文献   
3.
用于单芯片系统的改进型WXGA LCoS成像器   总被引:1,自引:1,他引:0  
本文讨论用于单芯片时序混色的菲利浦DD-720硅基液晶(LCoS)片。这种芯片主要用于HDTV背投影机和多媒体系统。与菲利浦以前的单片LCoS设计相比,由于该芯片具有电接口接点较少、封装简单和温度传感器内置等许多特点,使其应用于投影系统时成本降低。  相似文献   
4.
研究了Ca掺杂钨镁酸铅(PMW)陶瓷材料的合成、结构、烧结以及介电性能。结果发现:在Ca^2 摩尔分数小于15%时,能形成单相的PCMW钙铁矿相,结构由原来的斜方相向立方相转变。用二步合成法制备的样品容易致密烧结,气孔率比一步法制备的样品小。Ca的加入降低了材料的介电损耗,在频率为1MHz时,介质损耗达到了10^-4。当Ca^2 摩尔分数大于10%时,材料的Curie峰宽化显著,介电常数温度系数降低。  相似文献   
5.
中子辐照区熔(氢)硅片经退火后在近表面形成洁净区,在硅片内部形成体内微缺陷.微缺陷的形成与中子辐照造成的损伤及单晶硅内氢杂质的催化加速有关,还与后续退火条件有关.第一步退火的温度对微缺陷的尺度有很大的影响,中低温要比高温所形成的微缺陷小.在退火过程中微缺陷有一个生长过程,1100℃退火2h微缺陷已达最大.硅片表面的粗糙度影响表面洁净区的形成,洁净区出现在未抛光面,双面抛光硅片不会形成表面洁净区.  相似文献   
6.
LDD方法在提高电路工作电压中的应用研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
曾莹  王纪民 《微电子学》1997,27(1):37-42
研究了利用轻掺杂漏结构来制作高电源电压器件的工艺方法。分析了LDD结构参数对器件击穿特性的影响,并结合实验结果对N^-区的注入剂量,长度及引入的串联电阻进行了优化设计。  相似文献   
7.
利用橡胶和辉绿岩胶泥对混酸槽进行了复合衬里 ,该方法防腐蚀效果明显 ,降低了原材料的消耗 ,杜绝了跑、冒、滴、漏现象。这种方法简单易行、耗资少 ,使混酸槽的使用寿命延长 ,提高了经济效益。  相似文献   
8.
曹雪芹在《红楼梦》第四十一回中,有一段描写刘姥姥在大观园见到众多花样点心后,从点心盒中拣出一朵牡丹花样的点心开心的笑道:“我们那里最巧的姐儿们,也不能铰出这么个纸的来。我又爱吃,又舍不得吃。包些家里去给他们做花去倒好。”这种点心的名字叫“牡丹酥”。  相似文献   
9.
10.
长距离油、气、水混输管道内壁流动腐蚀的研究进展   总被引:13,自引:0,他引:13  
就近几十年来,多相流管线的流动腐蚀(CO2腐蚀,H2S腐蚀,腐蚀/冲蚀协同作用),腐蚀/冲蚀数学模型和设计准则,腐蚀检测,腐蚀防护与控制技术等方面的研究进展进行了综述。指出了当前研究中所存在的一些问题,就多相流的研究方向提出了相应的建议。  相似文献   
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