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像许多材料供应厂商一样,玻璃产品的制造厂商也期望能在其产品上雕刻出二维条形码,并从中受益。这些标记能起到防伪的功能,并能打出产品的生产地、出厂日期和加工方法等。然而,与其他材料相比,在玻璃中打标是非常困难的,很多方法难以胜任,包括激光打标方法。 相似文献
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光刻是制造大规模集成电路的主要方法。由于快速计算机和多功能处理器不断发展,并提出很多新的要求,促使半导体集成线路制造商力求增加单片上的元件密度。元件密度受最小光刻尺寸限制。虽然光刻工艺水平已能刻出准波长特征尺寸的集成线路的线宽,但是,连续发展几代的单片集成线路要求光源波长从436nm到365nm。用248nm波长光源(KrF准分子激光器).光刻的特征尺寸为0.25μm。期望能生产0.18μm特征尺寸的集成线路。为了生 相似文献
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阐述了光刻伺服盘媒体微细加工实验过程,分析了刻蚀工艺影响磁盘光刻图形的不利因素,实践证明利用半导体微细加工技术光刻伺服盘,能大幅度提高磁道密度,增加磁盘驱动器的容量,是一种先进的可行方法。 相似文献
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光刻胶灰化工艺与深亚微米线条的制作 总被引:5,自引:1,他引:4
随着器件尺寸的缩小,细线条的制作成为很关键的工艺,普通光学光刻已接近其分辨率的极限,而电子束光刻和X射线光刻技术复杂、费用昂贵。本文对光刻胶灰化工艺进行了分析和研究,并应用此工艺进行了深亚微米线条的制作,在普通光学光刻机上制作出宽度小于0.25μm细线条。我们已将此工艺成功地应用在深亚微米MOSFET的制作中。 相似文献
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电源对介质阻挡放电(DBD)激发准分子(XeCl*)辐射的影响 总被引:3,自引:2,他引:1
本文对电源参数如电压幅值、频率及正负电压对介质阻挡放电激发准分子XeCl 紫外 (30 8nm)辐射的影响进行了实验研究。结果表明 ,UV辐射随电压幅度的增加而增强 ,但效率下降 ;提高频率 ,增加了放电次数 ,导致UV辐射的增强 ;此外 ,在较高的频率下 ,电压上升沿变陡 ,使得电子获得的能量主要用于原子的激发和电离。正、负电压放电的不对称源于电极结构的不对称而引起的放电过程的差异 ,负电压内电极可向放电管中馈入更多的能量 ;比较发光光谱可判断生成准分子的等离子体化学过程没有明显的差别 相似文献
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