新型高K栅介质ZrO2薄膜材料的制备及表征

采用超高真空电子束蒸发法制备了新型高 K栅介质-非晶 ZrO2薄膜. X射线光电子能谱 (XPS) 中 Zr3d5/2 和 Zr3d3/2 对应的结合能分别为 182.1eV和 184.3eV, Zr元素的主要存在形式为 Zr4+,说明薄膜由完全氧化的 ZrO2组成 ,并且纵向分布均一.扩展电阻法( SRP)显示 ZrO2薄膜的 电阻率在 108Ω@ cm以上,通过高分辨率透射电镜( HR- XTEM)可以观察 ZrO2/Si界面陡直,没有 界面反应产物 ,证明 600℃快速退火后 ZrO2薄膜是非晶结构.原子力显微镜( AFM)表征了薄膜的 表面粗糙度,所有样品表面都很平整,其中 600℃快速退火样品 (RTA)的 RMS为 0.480nm.     

新结构MOSFET

和传统平面结构MOSFET相比，新结构MOSFET具有更好的性能(如改善的沟道效应(SCE)，理想的漏诱生势垒降低效应(DIBL)和亚阈值特性)和更大的驱动电流等。文章主要介绍了五种典型的新结构MOSFET，包括平面双栅MOSFET、FinFET、三栅MOSFET、环形栅MOSFET和竖直结构MOSFET。随着MOSFET向亚50nm等比例缩小，这些新结构器件将大有前途。     

LDD方法在提高电路工作电压中的应用研究

研究了利用轻掺杂漏结构来制作高电源电压器件的工艺方法。分析了ＬＤＤ结构参数对器件击穿特性的影响，并结合实验结果对Ｎ＾－区的注入剂量，长度及引入的串联电阻进行了优化设计。     

NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算

分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数，给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式，以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压，文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。     

网络安全中的防火墙技术

介绍了防火墙的原理、分类及其应用     

新型高k栅介质材料研究进展

随着半导体技术的不断发展，MOSFET（metal-oxide-semiconductor field effect transistor）的特征尺寸不断缩小，栅介质等效氧化物厚度已小至nm数量级。这时电子的直接隧穿效应将非常显著，将严重影响器件的稳定性和可靠性。因此需要寻找新型高k介质材料，能够在保持和增大栅极电容的同时，使介质层仍保持足够的物理厚度来限制隧穿效应的影响。本文综述了研究高k栅介质材料的意义；MOS栅介质的要求；主要新型高k栅介质材料的最新研究动态；展望了高k介质材料今后发展的主要趋势和需要解决的问题。     

利用新型场效应管(QFET)的正向变换器

介绍了单端正向变换器基本电路，重点叙述带三路调节DC电压的100KHZ180W离线电源。它采用具有低导电阻RDS和低栅极电荷Qg的新型场效应管（QFET）作为变换电路的主开关器件，降低了电源开关损耗并提高了效率3%-5%。     

冷轧带肋钢筋直径与拉丝机卷筒直径的匹配

采用被动式工艺生产冷轧带肋钢筋须经过减径、成型两台轧机连续轧制．要求钢材的秒流量相等，否则将造成断线停产或线材在拉丝机卷筒上打滑，致使卷筒严重磨损．用双层卷筒拉丝机提供动力生产冷轧带肋钢筋时，线材直径与卷筒直径的匹配是在一个小的调整范围，通过轧机拉力控制在一定范围变化，可保证成品尺寸符合公差要求而不产生打滑，从而避免了卷筒严重磨损．     

永定新河治理工程几个关键问题的研究

永定新河是天津市防洪的北部防线。由于受海相来沙淤积 ,河道行洪能力大幅度下降。针对永定新河治理工程设计中涉及到的河道淤积治理方案、闸位比选、防潮闸结构型式及施工方法、闸下减淤清淤措施等诸多问题进行了分析和研究 ,提出了相应的措施和建议     

Note on ‘Construction of Double Sampling s‐Control Charts for Agile Manufacturing’

He and Grigoryan (Quality and Reliability Engineering International 2002; 18 :343–355) formulated the design of a double‐sampling (DS) s control chart as an optimization problem and solved it with a genetic algorithm. They concluded that the DS s control charts can be a more economically preferable alternative in detecting small shifts than traditional s control charts. We explain that, since they only considered the average sample size when the process is in control, their conclusion is questionable. Copyright © 2006 John Wiley & Sons, Ltd.