CdSe量子点的制备与荧光特性研究

主要讨论了CdSe量子点的制备及荧光特性。CdSe量子点由化学方法制备，通过选择不同的反应时间得到不同尺度的量子点样品。用荧光方法研究了量子点样品在石英衬底和有机溶剂中的荧光特性。实验表明，这些量子点都有良好的荧光特性。还用无限深球方势阱模型分析了量子点样品的电子态，并根据荧光参数估算了量子点的尺度．各样品荧光峰具有一致的半峰宽，表明CdSe量子点的成核过程在反应开始时同时完成。     

CdSe敏化TiO2纳米晶多孔膜电极的制备及其光电性能研究

研究了CdSe敏化TiO2纳米晶多孔薄膜电极的制备及其表征,采用涂敷法将溶胶-凝胶法制备的TiO2胶体制备成纳米晶多孔薄膜,采用化学沉积法制备的CdSe对其进行了敏化处理.敏化后增加了对可见光的吸收作用和光生载流子的输运速度,减少了CdSe上光生载流子的复合,改善了电极内光生电荷的传递特性,获得了较大的稳态光电流.这种薄膜电极改进后可用于制作敏化太阳能电池的光阳极.     

CdSe/ZnS量子点的合成及表征

本文于水溶液中采用3-巯基丙酸作为稳定剂,成功合成了CdSe/ZnS核壳型量子点。透射电子显微镜观察表明,所合成的量子点尺寸均一,形貌近似球形,粒子大小在5 nm以下。紫外吸收光谱和荧光光谱分析表明,所合成的CdSe/ZnS核壳型量子点较之CdSe量子点更具良好光学特性。     

含氮、磷有机配体对(CdSe)_2量子点结构和电子性质的影响

使用密度泛函理论方法研究了量子点(CdSe)2与配体L(L=PH3、PH2Me、PHMe2、PMe3、NH3、NH2Me、NHMe2、NMe3)之间的相互作用及其产物的结构和性质。配体中的P或N原子与Cd原子上分别形成较强的Cd—P和Cd—N配位键,从而影响(CdSe)2的结构和电子性质。配体作用下,(CdSe)2的几何结构、电荷分布、轨道能级、吸收光谱等均发生变化,但2类配体的影响,尤其是甲基数目的影响,存在较大差异。     

MoS2/g-C3N4复合催化剂的制备及CdSe量子点敏化产氢性能研究

太阳能光催化分解水制氢被认为是从根本上解决能源与环境问题较为理想的途径之一。在以尿素为原料制得石墨相氮化碳(g-C_3N_4)的基础之上,采用简单的低温溶液反应法将二硫化钼(MoS_2)与石墨相氮化碳(g-C_3N_4)复合得到复合催化剂MoS_2/g-C_3N_4,并利用透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、紫外-可见漫反射(DRS)、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)和荧光光谱等对该复合光催化剂的组成、形貌和光物理性能进行了表征;进而以CdSe量子点为光敏剂,三乙醇胺(TEOA)为牺牲剂,构建了不含贵金属的三组分光催化产氢体系,并对体系pH值、CdSe量子点浓度等对产氢性能的影响进行了研究。结果表明:将MoS_2纳米颗粒负载到g-C_3N_4上可使g-C_3N_4的光催化产氢性能得到显著提高。当MoS_2负载量为7%(质量比)时,在最佳的条件下(pH=9.0,CdSe量子点的体积为25mL),最大产氢速率达到了141.74μmol·h-1,6h的产氢总量达到了212.61μmol。最后,结合荧光猝灭实验,推测了该体系的产氢机理。     

超声注射喷雾热分解法制备CdSe薄膜及其性能的研究

以CdCl2.2.5H2O为镉源,Na2SeSO3为硒源,柠檬酸钠为络合剂,采用超声注射喷雾热分解法制备了CdSe薄膜。并用XRD、UV-Vis、AFM等方法对其进行了表征。结果表明,所制备的薄膜为n型半导体,在可见光区有较高的吸收,可以获得较好的光电流。应用超声注射喷雾热分解法制备CdSe薄膜的优化条件为:基板温度为300℃,络合剂比例为1∶2,酸度为9,喷雾速度为0.3mL/min,退火温度为350℃。新的制备薄膜装置采用注射超声雾化手段,克服其雾化不均问题。     

硒化镉纳米粒子与碘化三甲氨基苯基卟啉钻复合膜光学性能研究

为了探索CdSe纳米粒子合成的最佳条件及其与碘化三甲氨基苯基卟啉钴（CoTAPPI）复合膜的光学性能，采用湿化学法合成了CdSe纳米粒子；利用逐层沉积法组装了CdSe—CoTAPPI复合膜。用紫外-可见吸收光谱监测了成膜过程。利用荧光光谱比较系统地研究了聚苯乙烯磺酸钠（PSS）、放置时间、热处理、紫外光照射等条件对复合膜发光性能的影响，结果发现复合膜的发光性能相对于单一组份的CASe纳米粒子和CoTAPPI都有很大程度改变。     

CdSe单晶的正电子寿命研究

利用正电子湮没方法对CdSe单晶中的缺陷进行了研究，通过对不同温度下退火样品正电子湮没寿命的测试分析，表明：在CdSe晶体中存在的点缺陷主要是占优势的镉空位。由正电子湮没寿命和退火温度的关系，研究了硒化镉单晶退火时空位的迁移、合并及消失情况，确定出能减小生长中形成的空位性缺陷浓度并获得较为完整的晶格的最佳退火温度范围为650～800℃。     

微乳液法制备CdSe纳米线的表征

利用CTAB／环己烷／异丁醇／水作为反应介质,在微乳液体系中制备了CdSe纳米线。利用X射线衍射（XRD）、透射电子显微镜（TEM）、扫描电子电镜（SEM）表征了CdSe纳米线的形貌和粒径尺寸,研究陈化时间、反应物浓度对CdSe纳米线的影响,结果表明当陈化时间为24h,反应物浓度为0．2mol·L^-1时可合成性能比较好的CdSe纳米线,此时CdSe纳米线产率高、稳定性好。     

Open structure ZnO/CdSe core/shell nanoneedle arrays for solar cells

Open structure ZnO/CdSe core/shell nanoneedle arrays were prepared on a conducting glass (SnO₂:F) substrate by solution deposition and electrochemical techniques. A uniform CdSe shell layer with a grain size of approximately several tens of nanometers was formed on the surface of ZnO nanoneedle cores after annealing at 400°C for 1.5 h. Fabricated solar cells based on these nanostructures exhibited a high short-circuit current density of about 10.5 mA/cm² and an overall power conversion efficiency of 1.07% with solar illumination of 100 mW/cm². Incident photo-to-current conversion efficiencies higher than 75% were also obtained.