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1.
研究了电子束、离子束作用于Al2O3表面时成分的变化,表明无论电子束或离子束都能使Al2O3发生分解,产生导电的元素Al。实验在PHI610·SAM上进行,电子束轰击下(3keV,O.5μA,入射角60°)10s就有元素Al分解出来,2min以后就达到饱和,分解析出量随时间成a(1-e-bt)的关系。离子束轰击下同样发生元素Al的分解,但当Ei>3keV时,由于剥离速率加大,溅射5min时表面Al峰反而比1min时要弱。这时表面Al含量处于分解析出与溅射剥离的动态平衡中。实验还发现了Al2O3的解析与表面成分有关(如碳的含量)。最后讨论电子束与离子束的解析机理。 相似文献
2.
采用离子束增强沉积(IBED)技术,在不同能量氮离子的轴助轰击下制备了Cr-N薄膜,通过SEM观察、XRD分析和显微硬度测定,发现离子轰击能量对Cr-N薄膜的表面形貌、相组成和硬度有显著的影响;随着能量的升高,膜表明形貌由岛形颗粒状转变成蜂窝状;一定能量轰击下获得的Cr2N和CrN混相结合有最高的薄膜硬度;高达16keV的氮离子轰击可诱发非晶化的出现,并对膜有一定的强化作用。在此基础上探讨了离子轰 相似文献
3.
金属在强脉冲离子束辐照及其后的快速冷却过程中所经历的应力过程是强脉冲离子束金属材料改性的最重要的机制之一。对应于这种过程 ,金属材料的微观结构和微硬度发生了改变。本文以 4 5 #钢和纯铝为样品将实验中测量到的不同强度的强脉冲辐照后样品微硬度和微观结构的变化与热力学计算所描述的热力学过程相对照 ,解释了出现微硬度双峰是由于应力波的形成和传播使然 ,并预言了由于应力波的在样品背面的反射 ,在较强能通量的强脉冲离子束辐照下 ,样品背表面一定深度处也会出现微硬度增加的现象 ,该现象已被实验所证实。 相似文献
4.
Vacuum treatment and ion-beam bombardment are two major processes in the low energy ion-beam implantation. To accurately study the contributions of these two major factors to the bioeffects separately, the M1 generation variation of Arabidopsis thaliana with ion-beam implantation and vacuum treatment were compared through a series of key plant development parameters including morphological observation, biochemical assay and RAPD (random amplified polymorphic DNA) analysis. The results showed that ion-beam implantation had obvious effect on almost all of these parameters, and the vacuum treatment had some impacts on several morphological parameters such as the bolting time and the length of the primary stem. Taking the results together, the indication is that vacuum treatment has some slight contributions to the bioeffects of ion-beam implantation while ion-beam bombardment itself is the major creator of the bioeffects. 相似文献
5.
本文介绍了离子束混合工艺方法。与直接注入相比较,离子束混合所使用的设备造价低1/4—1/2,而生产效率可提高1—2个数量级,因而使生产成本大幅度降低,这无疑对离子束工艺的实际应用将产生巨大的促进作用。 通过对轴承材料(GCr15和Cr4Mo4V)经Cr、N、Ta不同元素的混合处理后,在0.5M H_2SO_4和0.1M NaCl的缓冲溶液中的阳极极化曲线表明经混合处理后的两种材料试样,其抗蚀能力和抗点蚀能力均大大提高,这与直接注入的试样效果是一致的。 通过俄歇谱仪和透射电镜的分析结果表明混合是成功的,且在一定的条件下,形成非晶组织。 本文的结论是,无论是离子的直接注入还是离子束混合,对提高轴承材料的抗腐蚀性能都是有效的方法,特别是离子束混合技术具有更大的应用前景。 相似文献
6.
7.
本文描述用离子束透过钽金属膜进行混合和快速热处理方法来形成钽的硅化物.用溅射方法在P型硅衬底上淀积一层金属钽,然后用砷离子束透过钽金属模进行混合,采用快速热处理后形成了平整的硅化钽薄层.使用厚度为500埃的钽金属膜,得到钽的硅化物薄层电阻为5.5Ω/□.研究了砷离子能量、剂量及钽膜厚度对钽的硅化物薄层电阻的影响.用透射电镜和台阶仪对所形成的硅化钽进行了分析和厚度测量. 相似文献
8.
Mo/Si多层膜界面离子束处理及TEM观察薛钰芝R.Schlatmann,林纪宁A.Keppel,J.Verhoeven(大连铁道学院,大连116022)(荷兰FOM原子分子物理研究所)软X射线多层膜(MultilayersforSoftX-rayO... 相似文献
9.
10.