全文获取类型
收费全文 | 888篇 |
免费 | 95篇 |
国内免费 | 136篇 |
学科分类
工业技术 | 1119篇 |
出版年
2024年 | 8篇 |
2023年 | 43篇 |
2022年 | 51篇 |
2021年 | 53篇 |
2020年 | 26篇 |
2019年 | 38篇 |
2018年 | 18篇 |
2017年 | 26篇 |
2016年 | 22篇 |
2015年 | 35篇 |
2014年 | 54篇 |
2013年 | 39篇 |
2012年 | 42篇 |
2011年 | 77篇 |
2010年 | 45篇 |
2009年 | 47篇 |
2008年 | 51篇 |
2007年 | 64篇 |
2006年 | 36篇 |
2005年 | 41篇 |
2004年 | 37篇 |
2003年 | 36篇 |
2002年 | 39篇 |
2001年 | 37篇 |
2000年 | 29篇 |
1999年 | 49篇 |
1998年 | 38篇 |
1997年 | 19篇 |
1996年 | 16篇 |
1995年 | 2篇 |
1994年 | 1篇 |
排序方式: 共有1119条查询结果,搜索用时 78 毫秒
1.
GaN材料在光电子器件领域的广泛应用前景使得金属与其欧姆接触的研究成为必然。本对Si基n型GaN上的A1单层及Ti/Al双层电极进行了研究。通过对不同退火条件下的I—U特性曲线,X射线衍射以及二次离子质谱分析,揭示了界面固相反应对欧姆接触的影响,提出了改善这两种电极欧姆接触的二次退火方法。 相似文献
2.
3.
4.
5.
Ga N有较 Ga As更宽的禁带、更高的击穿场强、更高的电子饱和速度和更高的热导率 ,Al Ga N/Ga N异质结构不仅具有较 Ga As PHEMT中Al Ga As/In Ga As异质结构更大的导带偏移 ,而且在异质界面附近有很强的自发极化和压电极化 ,极化电场在电子势阱中形成高密度的二维电子气 ,这种二维电子气可以由不掺杂势垒层中的电子转移来产生。理论上 Al Ga N/Ga N HEMT单位毫米栅宽输出功率可达到几十瓦 ,而且其宽禁带特点决定它可以承受更高的工作结温 ,作为新一代的微波功率器件 ,Al Ga N/Ga N HEMT将成为微波大功率器件发展的方向。采… 相似文献
6.
GaN材料系列的研究进展 总被引:3,自引:0,他引:3
GaN及其合金作为第三代半导体材料具有一系列优异的物理和化学性质,在光电子器件,高温大功率电子器件及高频微波器件应用方面具有广阔的前景,已成为当前高科技领域的研究重点,论述了这种材料的研究历史与发展现状,物理与化学性质,薄膜的生长方法及在光学电子和微电子器件应用于方面的研究进展。 相似文献
7.
从征 《激光与光电子学进展》1998,35(7):9-11
由于日本日亚化学公司S.Nakamura1997年演示的连续波二极管激光器的外推寿命达到了10000h,氨化镓(GaN)研究人员将会记住这一年。同年的材料研究协会(MRS)秋季会议(1997年12月1~5日在波士顿举行)也因此及时地给Nakamura的GaN发光二极管商业化成就授予了材料研究协会奖,并且很快把二极管激光器包括到“GaN二极管激光器的工业应用”辅导会议中。该辅导包括三个专家讲演的特邀论题,即印刷、光记录和显示业,由此地激起了GaN激光器对这些领域未来影响的设想。加州施乐帕罗·阿尔多研究中心的R.Bringans评述了印刷业和它转移到… 相似文献
8.
主要是以氧化镓为原料,通过气相沉积法,制备出GaN纳米线和纳米带.通过X-射线衍射(XRD),扫面电镜(SEM)和高分辨透射电镜(HRTEM)等测试手段对其形貌进行了表征和分析.研究了实验过程中工艺条件的改变对所制备GaN纳米结构形貌特征的影响.对两种GaN纳米材料的拉曼散射光谱进行了分析. 相似文献
9.
10.